一种石英坩埚装填料的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种石英坩埚装填料的工艺方法，具体涉及技术领域，包括准备阶段和装填阶段，其中，装填阶段全程运行温度监控单元和振动紧实单元，具体工艺方法步骤如下：S1、准备阶段：S101、硅料筛选与分类；S102、核对原料配比信息和原料数量；S103、预处理；S2、装填阶段：S201、底部装填；S202、坩埚周边装填；S203、中部装填；S204、上部装填；S205、顶部处理。本发明专利技术通过对整个装填料的过程，进行全面合理的、精确分步的分析和优化，实现最优的石英坩埚装填料工艺，减少了挂边，塌边、漏硅等坩埚事故，易于标准化推广，且硅料装填更加均匀紧实。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及装填料，更具体地说，本专利技术涉及一种石英坩埚装填料的工艺方法。

技术介绍

1、在半导体工业中，石英坩埚作为关键耗材，尤其在单晶硅棒的拉制过程中扮演着至关重要的角色。随着半导体技术的不断进步，对石英坩埚及其装填工艺的要求也日益提高。石英坩埚具有高纯度、耐温性强、尺寸精度高、保温性好等优点，是半导体行业中必不可少的辅助材料，在单晶硅的拉制过程中，石英坩埚用于盛装熔融硅液，其装填工艺直接影响单晶硅的质量和拉晶成功率。

2、经检索，申请号为cn201610364027.8的中国年专利公开了一种多晶硅料的筛选及装填坩埚的方法，利用振动筛对多晶硅料进行多层筛选，按照规格尺寸将筛选出来的多晶硅料直接加到石英坩埚中，实现原位填装石英坩埚，减少操作时间，提高工作效率，并能精确控制多晶硅料尺寸范围，提高坩埚的填充密度，减少晶体生长中因为存在气体、针孔对晶锭质量的影响，提高晶锭的质量。另外，可避免人工装料带来的污染从而影响晶锭质量。

3、上述装填坩埚的方法虽然是将晶硅料进行了多层尺寸的筛选后进行填料，但在填料前缺少对坩埚和硅料的预处理，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于，包括准备阶段和装填阶段，其中，装填阶段全程运行温度监控单元和振动紧实单元，具体工艺方法步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于：所述S101中对硅料的筛选选用三层筛网，上层的筛网孔径小于预设的大块偏大硅料粒径，且大于预设的小块和大块偏小硅料粒径；中层的筛网孔径小于大块偏小和大块偏大硅料粒径，且大于小块硅料粒径；下层的筛网孔径小于小块、大块偏小和大块偏大硅料粒径。

3.根据权利要求1所述的一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于：所述S103预处理包括对坩埚的预处理和对硅料的预处理，其...

【技术特征摘要】

1.一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于，包括准备阶段和装填阶段，其中，装填阶段全程运行温度监控单元和振动紧实单元，具体工艺方法步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于：所述s101中对硅料的筛选选用三层筛网，上层的筛网孔径小于预设的大块偏大硅料粒径，且大于预设的小块和大块偏小硅料粒径；中层的筛网孔径小于大块偏小和大块偏大硅料粒径，且大于小块硅料粒径；下层的筛网孔径小于小块、大块偏小和大块偏大硅料粒径。

3.根据权利要求1所述的一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于：所述s103预处理包括对坩埚的预处理和对硅料的预处理，其中，对于坩埚的预处理是检查石英坩埚有无裂纹、有无破损和有无脏污，若有裂纹、有破碎则更换，若脏污则清洁；对于硅料的预处理是清洗掉硅料表面的污垢和氧化物后进行干燥。

4.根据权利要求1所述的一种石英坩埚装填料的工艺方法，其特征在于：所述s201底部装填是在石英坩埚底部铺满小块硅料；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：董智慧，
申请(专利权)人：乌海市京运通新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：