温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种多晶硅的制备方法，涉及半导体技术领域，解决了现有的多晶硅内部存在较多的晶界的问题。该多晶硅的制备方法包括如下步骤：在衬底的上方形成第一介质层并在所述第一介质层中形成微孔结构；在所述微孔结构处依次形成非晶硅层、隔热层、第二介质层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。