兰姆波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种频率的不均小的兰姆波装置。兰姆波装置（１０２）具有压电体薄膜（１０６）、设置于上述压电体薄膜（１０６）的主表面上的ＩＤＴ电极（１０８）、支持上述ＩＤＴ电极（１０８）与压电体薄膜（１０６）的层叠体（１０４）且形成有隔离层叠体（１０４）的空腔（１８０）的支持结构体（１２２）。选择压电体薄膜（１０６）的膜厚ｈ以及ＩＤＴ电极（１０８）的电极条的间距ｐ，使得相对于压电体薄膜（１０６）的膜厚ｈ的音速ｖ分散性小的兰姆波在目标频率下被激发。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种兰姆波装置，其具有压电体薄膜、设置于所述压电体薄膜的主表面上的ＩＤＴ电极、支持所述压电体薄膜与所述ＩＤＴ电极的层叠体的支持结构体；其中，选择所述压电体薄膜的膜厚ｈ以及所述ＩＤＴ电极的电极条的间距ｐ，使得相对于所述压电体薄膜的膜厚ｈ与波长λ的比ｈ／λ的音速ｖ的变化系数Δｖ／Δ（ｂ／λ）的绝对值为２０００ｍ／ｓ以下的兰姆波在目标频率下被激发。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：多井知义，坂井正宏，大杉幸久，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]