【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator),并且涉及 使用该膜体声波谐振器的滤波器、通信模块和通信设备。
技术介绍
随着以移动电话单元为代表的无线应用的快速扩展,对于高性能滤波 器和双工器的需求正在增长。使用膜体声波谐振器(FBAR)的滤波器和 双工器作为下一代的滤波器和双工器正获得广泛的关注,它们用来替代表 面声波滤波器,这是因为它们带来了尤其是在高频方面的低损耗、高抵抗 力电功率特性。膜体声波谐振器滤波器之所以实质上具有低损耗和高抵抗 力功率特性的主要原因在于,该谐振器具有简单的结构,并且可以避免由 于电阻的增大而引起的特性的下降,因为即使频率增大它也可确保电极的 尺寸。然而,表面声波滤波器的性能近来已得到了明显的改善。因此,有 必要进一步提高使用膜体声波谐振器的滤波器的性能并尤其降低低损耗特 性以构建其竞争性。受到这种背景的影响,对进一步降低膜体声波谐振器 的低损耗特性的开发现在已被积极地促进。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够抑制横向泄漏(lateral leak)并降低损 耗的膜体声波谐振器、滤波器 ...
【技术保护点】
一种膜体声波谐振器,包括: 衬底; 形成在所述衬底上的下电极; 形成在所述下电极上的压电薄膜; 形成在所述压电薄膜上的上电极;以及 邻近于所述上电极和所述衬底之间的压电薄膜而部署的绝缘膜,该绝缘膜位于所述上电极 和所述衬底彼此相对的位置处。
【技术特征摘要】
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