一种用于触摸屏的ＩＴＯ薄膜制造方法技术

本发明专利技术公开一种用于触摸屏的ＩＴＯ薄膜制造方法，该方法包括：设置蚀刻保护层，在ＩＴＯ薄膜的正面设置蚀刻保护层；蚀刻处理，对ＩＴＯ薄膜正面进行蚀刻；清洁处理，对蚀刻后的ＩＴＯ薄膜进行清洗；剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ＩＴＯ薄膜的蚀刻保护层去除；设置正面保护层，在ＩＴＯ薄膜的正面可视区域设置保护层；印制银线，在ＩＴＯ薄膜的正面四周印制银线。由于经过蚀刻处理步骤后，ＩＴＯ薄膜正面蚀刻保护层对ＩＴＯ薄膜进行保护，可以在对ＩＴＯ薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避免ＩＴＯ薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在各种电子设备中的操作中使用的触摸屏制造方法。
技术介绍
ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物)是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡， ITO薄膜即铟锡氧化物半导体设在薄膜的一面形成的透明导电膜。 现有电阻式触摸屏主要采用湿制程蚀刻方法制造，先将需要的部份用耐酸性油墨 保护起来后，再通过酸性化学药水将不需要的ITO薄膜蚀刻掉，然后再通过碱性化学药水 将表面的耐酸性油墨去除掉，最后用水将表面清洁干净，干燥后进行后序生产流程。在触摸 屏的制造过程中，ITO薄膜的清洁度是一重要参数，清洁度不高的ITO薄膜都需要按不合格 品处理。由于该方法在制造用于触摸屏的ITO薄膜的过程中，ITO薄膜接触到碱性药水及 蚀刻设备相关清洁工具，容易造成ITO薄膜刮伤、剌伤、污垢存在等现象，容易造成触摸蚀 刻过度或外观不良等问题，从而造成生产的成品率较低。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法 可以提供较高的洁净度，从而提高ITO薄膜成品率。 为了解决上述问题，本专利技术提供一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法包 括以下步骤 设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层； 蚀刻处理，对ITO薄膜正面进行蚀刻； 清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗； 剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层从ITO薄膜上剥离； 设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层； 印制银线，在ITO薄膜的正面四周印制银线。 优选地，所述蚀刻保护层的厚度为15um 35um，再对该蚀刻保护层进行烘烤热 固，该热固温度为130°C 15(TC，热固时间为10分钟 20分钟。 优选地，所述设置蚀刻保护层之前还包括 设置反面保护层； 预縮处理。 优选地，在设置反面保护层时，反面保护层的厚度为15um 35um，再对该保护层进行烘烤热固，该热固温度为130°C 15(TC，热固时间为10分钟 20分钟。 优选地，所述预縮处理在温度为130°C 16(TC，预縮时间为60分钟 120分钟。 优选地，在所述印制银线之后，还包括印制银线保护层，该银线保护层经过紫外线固化处理或热固处理。优选地，所述紫外线固化处理时，该紫外线强度为700mj/cm2 800mj/cm2。 优选地，所述热固处理时，该热固温度为80°C 15(TC，热固时间为20分钟 40分钟。 优选地，在所述印制银线保护层之后还包括，在ITO薄膜的正面四周设置粘合剂。 本专利技术ITO薄膜的制造方法，首先，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层，并对ITO 薄膜的正面进行蚀刻处理，再对蚀刻处理的ITO薄膜进行清洁处理，再剥离设在正面的蚀 刻保护层，并立刻在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层，最后在设有正面保护层的 ITO薄膜四周印制银线。与现有技术相比，经过蚀刻处理后，ITO薄膜上始终有蚀刻保护层 对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度，同时可以避 免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。由于现有技术在清洁处理时需要用碱 洗，因此在进行清洁处理时，会将保护层溶解掉，使得ITO薄膜的洁净度更低。在设置蚀刻 保护层之前还包括设置反面保护层和预縮处理步骤，在ITO薄膜的反面设置反面保护层， 可以对ITO薄膜的反面进行保护；对ITO薄膜进行预縮处理，可以避免ITO薄膜在之后工序 中加热时发生变形，同时可以避免ITO薄膜的阻值发生改变。附图说明 图1是本专利技术用于触摸屏的ITO薄膜制造方法实施例的流程示意图； 图2是本专利技术实施例中设置保护层步骤流程示意图； 图3是本专利技术实施例蚀刻保护层示意图。 本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。 具体实施例方式本专利技术实施例，用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，经过蚀刻处理后，ITO薄膜上有 蚀刻保护层对ITO薄膜进行保护，可以在对ITO薄膜进行清洁处理时，提供较高的洁净度， 同时可以避免ITO薄膜刮伤、氧化，从而可以提高触摸屏成品率。 如图1所示，本专利技术用于触摸屏的ITO薄膜制造方法，该方法包括以下步骤。 步骤Sll，设置蚀刻保护层，在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层，该蚀刻保护层对 ITO薄膜上ITO层进行保护，将未受蚀刻保护层保护的ITO层去除。 在制造用于触摸屏的ITO薄膜时，基本上都在较大面积的ITO薄膜上按需要的面 积进行蚀刻，在蚀刻后的ITO薄膜印银线等处理后，再将设有银线的ITO薄膜设置粘合剂， 这样可以提高生产效率。由于现有技术在设置蚀刻保护层时，在较大面积的ITO薄膜上根 据需要设置多个蚀刻区域，每个蚀刻区域设都设有一蚀刻保护层，因此每个蚀刻保护层之 间有间隙。在蚀刻时，蚀刻的药水可能会从蚀刻保护层的边缘浸入渗透，可能将部分需要的 TIO层蚀刻掉，使ITO层在ITO薄膜边缘部分形成锯齿状，从而可能导致ITO薄膜电阻会发 生改变，使触摸屏不稳定性。 如图3所示，在设置蚀刻保护层1'时，在较大面积的ITO薄膜1上根据需要划成 几个条状区域，每个条状区域设一个蚀刻保护层l'。每个蚀刻保护层1'的面积可以包括 多个需要的ITO薄膜面积大小。例如，将ITO薄膜1设为四个条状区域，每个条状区域可以 切割成五个需要的ITO薄膜；在设置蚀刻保护层1'时，将五个ITO薄膜设置一个蚀刻保护 层l'。在蚀刻后，根据需要对ITO薄膜进行切割，因此切割后的ITO薄膜边缘不会出现锯齿状，从而在ITO薄膜印制银线后，ITO薄膜的电阻会不发生改变，使ITO薄膜制成的触摸 屏性能更稳定。 步骤S12，蚀刻处理，对IT0薄膜的正面进行蚀刻，即对未设置蚀刻保护层的IT0层 进行蚀刻。 步骤S13，清洁处理，对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗；具体地说，将蚀刻后的ITO薄 膜进行清洗，再对清洗后的ITO薄膜进行干燥处理。 步骤S14，剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻保护层剥离；具体 地说，ITO薄膜经过清法处理后，将设置在ITO薄膜正面的蚀刻保护层快速从ITO薄膜上剥 离。 步骤S15，设置正面保护层，在ITO薄膜的正面可视区域设置正面保护层；具体地 说，在步骤S14中剥离蚀刻保护层的ITO薄膜正面新设置正面保护层，该正面保护层可以对 ITO层和ITO薄膜进行保护，该正面保护层的厚度为15um 35um。所述可视区域是指在 ITO薄膜与另一 ITO薄膜或ITO玻璃等结合形成触摸屏上可以显示的区域。 步骤S16，印制银线，在IT0薄膜的正面四周印制银线；具体地说，先印制银线，将 ITO薄膜上电路引出；再对银线在13(TC温度烘烤50分钟。 在本流程中，在所述印制银线保护层之后还包括在银线上设置银线保护层，该银 线保护层通过紫外线固化处理或热固化处理，该热固化也称为热固，其中，紫外线在700mj/ cm2 800mj/cm2 (毫焦/平方厘米)条件下进行固化，热固温度为80°C 15(TC，热固时间 为20分钟 40分钟。在所述设置银线保护层之后还可以包括在ITO薄膜的正面四周设 置粘合剂。 如图2所示，所述设置蚀刻保护层步骤Sll之前还可以包括以下步骤 步骤S110，设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于触摸屏的ＩＴＯ薄膜制造方法，其特征在于，该方法包括：设置蚀刻保护层，在ＩＴＯ薄膜的正面设置蚀刻保护层；蚀刻处理，对ＩＴＯ薄膜正面进行蚀刻；清洁处理，对蚀刻后的ＩＴＯ薄膜进行清洗；剥离蚀刻保护层，将经过清洁处理的ＩＴＯ薄膜的蚀刻保护层从ＩＴＯ薄膜上剥离；设置正面保护层，在ＩＴＯ薄膜的正面可视区域设置正面保护层；印制银线，在ＩＴＯ薄膜的正面四周印制银线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟定锋，
申请(专利权)人：深圳市航泰光电有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]