具有（１００）晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有（１００）晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法，步骤如下：ａ、首先以乙酸铅、四正丁酯锆和钛酸四丁酯为起始原料，乙二醇乙醚为溶剂，乙酰丙酮和甲酰胺为稳定剂，制备化学组成Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）ＴｉＯ３、浓度为０．７～０．８ｍｏｌ／Ｌ的锆钛酸铅前驱体溶液；ｂ、将锆钛酸铅前驱体溶液采用旋涂工艺直接沉积在单晶硅基片上，并在热处理炉中依次３５０℃快速干燥３～５分钟、６５０℃退火处理３～５分钟，得到单层四方钙钛矿结构的（１００）取向锆钛酸铅薄膜；ｃ、重复步骤ｂ操作制备１０～３０层的（１００）取向锆钛酸铅薄膜，得到厚度为１．３～３．９微米的的锆钛酸铅厚膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，该锆钛酸铅厚膜具有强(100)择优取向生长的钙钛矿结构。
技术介绍
锆钛酸铅(Pb(ZivxTix)03，PZT)膜材料的化学组成在准同型相界附近时，具有优异的铁电和压电性能，在信息储存、铁电随机储存记忆以及微电子机械系统，如微执行器、微传感器和高频超声换能器等方面有着广泛的应用前景。其中Pb(Zr。jTi。j)0"100)择优取向膜具有高介电常数，低损耗等优良特性，它的取向生长可以通过使用特殊的取向、单晶基片，加入诱导结晶层或调节制备工艺条件来实现；另一方面，锆钛酸铅(PZT)厚膜(1 5um)也由于来自畴壁运动的外界贡献而具有优于薄膜的铁电性能。因此，具有(100)择优取向的PZT52/48厚膜引起了广泛的研究兴趣。 用于制备此类厚膜的方法很多，如金属-有机物化学气相沉积法，物理气相沉积法，脉冲激光沉积法，射频测控溅射法和化学溶液沉积法。在这些方法中，化学溶液沉积法由于其灵活而简单的工艺过程，是制备厚膜的首选工艺。然而在大多数的报道中，使用化学溶液沉积法制备取向厚膜一般都要使用特殊的取向单晶基片或引入诱导结晶层来实现PZT厚膜的取向生长，如果没有取向基片或诱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有（１００）晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：　　ａ、首先以乙酸铅、四正丁酯锆和钛酸四丁酯为起始原料，乙二醇乙醚为溶剂，乙酰丙酮和甲酰胺为稳定剂，制备化学组成Ｐｂ（Ｚｒ↓［０．５２］Ｔｉ↓［０．４８］）ＴｉＯ↓［３］、浓度为０．７～０．８ｍｏｌ／Ｌ的锆钛酸铅前驱体溶液；　　ｂ、将锆钛酸铅前驱体溶液采用旋涂工艺直接沉积在单晶硅基片上，并在热处理炉中依次３５０℃快速干燥３～５分钟、６５０℃退火处理３～５分钟，得到单层四方钙钛矿结构的（１００）取向锆钛酸铅薄膜；　　ｃ、重复步骤ｂ操作制备１０～３０层的（１００）取向锆钛酸铅薄膜，得到厚度为１．３～３．９微米的具有（...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任巍，朱宛琳，辛红，史鹏，吴小清，陈晓峰，姚熹，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]