用于生长硅单晶的节能热场制造技术

本发明专利技术公开了一种用于生长硅单晶的节能热场，在炉膛内腔，由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层，上保温盖中连接有热屏，在下保温盖、上保温筒的外侧设置有一保温层，该保温层与上保温筒对应开有通气孔；过渡盘、主保温筒、下保温筒的外侧设置有保温层，上述保温层与炉膛内壁之间保持有间隙，炉膛上设置有氩气排气口；在炉底盘上依次设置有一层保温层和护底压片，穿过保温层、炉底盘、护底压片设置有石墨电极和石墨托杆，石墨电极上安装有加热器，在石墨托杆上依次安装有隔热体、石墨埚托、石墨埚帮及石英坩埚。本发明专利技术的热场结构合理，热能利用率显著提高，生产成本降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶硅材料制备
，涉及一种用于生长硅单晶的节能热场。
技术介绍
随着光伏行业的快速发展，直拉硅单晶已经迈向了产业化的发展轨道，硅单晶是 在单晶炉热场中进行生长的，热场装置的优劣对硅单晶的品质及生产效率有很大的影响。寻找好的热场条件，配置最佳热场，是直拉硅单晶生长工艺非常重要的技术，提高热能使用 效率，降低生产成本已成为行业的重要和急需解决的技术课题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于生长硅单晶的节能热场，解决了现有技术中存在的 热能使用效率不高，生产成本较大的问题。 本专利技术所采用的技术方案是，一种用于生长硅单晶的节能热场，在炉膛内腔，由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层D，上保温盖的外圆周与炉膛内壁密封连接，上保温盖中连接有热屏，上保温盖的下方连接有下保温盖，在下保温盖与上保温筒的外侧设置有保温层A，保温层A与上保温筒开有联通的通气孔；过渡盘和主保温筒的外侧设置有保温层B ;下保温筒的外侧设置有保温层C，保温层A、保温层B、保温层C与炉膛内壁之间保持一定的间隙，炉膛靠近下部的侧壁上设置有氩气排气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生长硅单晶的节能热场，其特征在于：在炉膛（２９）内腔，由上到下依次设置有上保温盖（１）、下保温盖（２７）、上保温筒（２５）、过渡盘（２３）、主保温筒（２１）、下保温筒（１７）、炉底盘（１６）及保温层Ｄ（１１），上保温盖（１）的外圆周与炉膛（２９）内壁密封连接，上保温盖（１）中连接有热屏（１４），上保温盖（１）的下方连接有下保温盖（２７），在下保温盖（２７）与上保温筒（２５）的外侧设置有保温层Ａ（２４），保温层Ａ（２４）与上保温筒（２５）开有联通的通气孔（２６）；过渡盘（２３）和主保温筒（２１）的外侧设置有保温层Ｂ（２２）；下保温筒（１７）的外侧设置有保温层Ｃ（１８），保温层Ａ（２４）、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李定武，梁永生，
申请(专利权)人：西安隆基硅材料股份有限公司，西安隆基硅技术有限公司，宁夏隆基硅材料有限公司，西安矽美单晶硅有限公司，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]