温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种用于生长硅单晶的节能热场，在炉膛内腔，由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层，上保温盖中连接有热屏，在下保温盖、上保温筒的外侧设置有一保温层，该保温层与上保温筒对应开有通气...该专利属于西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司授权不得商用。