导流筒及具有该导流筒的单晶炉用热场制造技术

本发明专利技术公开的导流筒，包括本体和连接于本体的导流板，导流板位于靠近本体的气体出口处，导流板与本体之间存在间隙。本发明专利技术公开的具有该导流筒的单晶炉用热场，包括坩埚和如上所述的导流筒，坩埚设置于导流板远离本体的一侧。本发明专利技术的导流筒在本体的气体出口处设置有导流板，导流板不但能将气体流动带走的热量反射回去，且能对气体进行分流。而本发明专利技术的具有该导流筒的单晶炉用热场：一方面，导流板能将熔体液面辐射的热量反射回熔体中，减少热量损失；另一方面，导流板减少了导流板与熔体液面间的气体对液面的冲击，提升了晶体生长前沿处的稳定性。

Guide tube and heat field for single crystal furnace with same

The flow guiding cylinder of the invention comprises a main body and a flow guiding board which is connected with the main body, and the deflector plate is positioned at the gas outlet near the main body, and the gap between the deflector and the body exists. The invention discloses a heat field for a single crystal furnace with the draft tube, comprising a crucible and a flow guiding cylinder as described above, wherein the crucible is arranged at one side of the deflector away from the main body. A deflector plate is arranged at the gas outlet of the main body of the invention, and the deflector can not only reflect the heat carried by the gas flowing away, but also split the gas. Single crystal furnace and the invention has the guide tube for thermal field: on the one hand, the diversion plate can melt level radiation heat is reflected back into the melt, reduce heat loss; on the other hand, the diversion plate reduces the impact of gas baffle and the melt surface of liquid level, to enhance the stability of the crystal growth front. At.

【技术实现步骤摘要】
导流筒及具有该导流筒的单晶炉用热场
本专利技术属于单晶制造设备
，具体涉及一种导流筒，还涉及一种具有该导流筒的单晶炉用热场。
技术介绍
随着世界经济的不断发展，现代化建设对高效能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的一种主要能源，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，拥有广泛的市场需求。直拉单晶硅生长方法是一种常见的单晶生长方法，其生长过程是在单晶炉中，将籽晶浸入熔体，依次实施引晶、放肩、转肩、等径及收尾过程，最后获得单晶硅棒。为避免拉晶过程中产生的挥发物影响拉晶进程或成品品质，因此在拉晶的同时会往单晶炉中引入惰性气体、并设置导流筒引导惰性气体的流向，对拉晶环境进行吹扫。然而，惰性气体在吹扫挥发物的同时，也会吹拂晶体生长界面引起液面波动，影响晶体生长的稳定。同时，惰性气体从液面带走了单晶炉中大量的热量，不利于节能降耗。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种导流筒，解决了现有的导流筒引导惰性气体时引起晶体生长界面波动的问题。本专利技术的目的还在于提供一种具有该导流筒的单晶炉用热场，以解决现有的单晶炉中晶体生长界面波动以及能量浪费的问题。本专利技术所采用的一种技术方案是：导流筒，包括本体和连接于本体的导流板，导流板位于靠近本体的气体出口处，导流板与本体之间存在间隙。本专利技术的特点还在于，间隙的高度为3mm-50mm。本体上具有导流通道，导流板上设置有与导流通道相连通的通孔，间隙与导流通道以及通孔相连通。本体包括内筒以及套设于内筒外部的外筒，导流板与内筒和/或外筒相连接。还包括连接机构，导流板通过连接机构连接于本体。连接机构包括多个连接件，多个连接件围绕本体的中心轴线等角度分布。导流板的材料为钼或钨或其组合。导流板与本体同轴设置。本专利技术所采用的另一种技术方案是：具有该导流筒的单晶炉用热场，包括坩埚和如上所述的导流筒，坩埚设置于导流板远离本体的一侧。坩埚与导流筒同轴设置。本专利技术的有益效果是：本专利技术的导流筒在本体的气体出口处设置有导流板，导流板不但能将气体流动带走的热量反射回去，且能对气体进行分流。而本专利技术的具有该导流筒的单晶炉用热场：一方面，导流板能将熔体液面辐射的热量反射回熔体中，减少热量损失；另一方面，导流板减少了导流板与熔体液面间的气体对液面的冲击，提升了晶体生长前沿处的稳定性。附图说明图1是本专利技术的导流筒的结构剖视图；图2是本专利技术的具有该导流筒的单晶炉用热场的结构剖视图。图中，1.本体，2.导流板，3.连接机构，4.间隙，10.导流筒，11.内筒，12.外筒，13.导流通道，21.通孔，31.连接件，100.单晶炉用热场，101.坩埚。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细说明。本专利技术的一个实施例提供的导流筒10的结构剖视图如图1所示，其用于引导气体的流动。导流筒10包括本体1和导流板2。导流板2通过连接机构3连接于本体1。本体1包括内筒11及套设于内筒11外部的外筒12。本体1在内筒11远离外筒12的一侧具有导流通道13。导流板2在靠近本体1的气体出口一侧。导流板2与本体1同轴设置，且与本体1之间存在间隙4。间隙4的高度为3mm-50mm。导流板2具有与导流通道13相连通的通孔21。间隙4与导流通道13及通孔21相连通，且同轴。连接机构3包括多个连接件31，多个连接件31围绕本体1的中心轴线等角度分布。每个连接件31的一端连接于导流板2，另一端连接于本体1。具体地，每个连接件31的另一端可以连接于内筒11或外筒12或同时连接于内筒11和外筒12。本实施例中，每个连接件31均连接于导流板2与本体1的外筒12之间。本实施例的导流筒10具有导流板2，导流板2的材料选自钨或钼或其组合，本实施例中，导流板2为钼材质。导流板2能将热量反射回去，且能对经由本体1的导流通道13到达出口处的气体进行分流。本专利技术的另一实施例提供的具有该导流筒的单晶炉用热场100结构剖视图如图2所示，包括坩埚101和如上所述的导流筒10。坩埚101设置于导流板2远离本体1的一侧，即导流板2位于本体1与坩埚101之间。坩埚101与导流筒10同轴设置。坩埚101盛有高温的熔体。晶体生长过程中，一方面，导流板2与熔体相对，能将熔体液面辐射的热量反射回熔体中，减少热量损失；另一方面，导流板2具有分流作用，将进入间隙4的气体分流，减少了导流板2与熔体液面间的气体对液面的冲击，提升了晶体生长前沿处的稳定性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
导流筒，其特征在于，包括本体(1)和连接于所述本体(1)的导流板(2)，所述导流板(2)位于靠近所述本体(1)的气体出口处，所述导流板(2)与所述本体(1)之间存在间隙(4)。

【技术特征摘要】
1.导流筒，其特征在于，包括本体(1)和连接于所述本体(1)的导流板(2)，所述导流板(2)位于靠近所述本体(1)的气体出口处，所述导流板(2)与所述本体(1)之间存在间隙(4)。2.如权利要求1所述的导流筒，其特征在于，所述间隙(4)的高度为3mm-50mm。3.如权利要求1所述的导流筒，其特征在于，所述本体(1)上具有导流通道(13)，所述导流板(2)上设置有与所述导流通道(13)相连通的通孔(21)，所述间隙(4)与导流通道(13)以及通孔(21)相连通。4.如权利要求3所述的导流筒，其特征在于，所述本体(1)包括内筒(11)以及套设于内筒(11)外部的外筒(12)，所述导流板(2)与所述内筒(11)和/或外筒(12)相连接。5.如权利要求1-4任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，刘培东，李定武，
申请(专利权)人：西安隆基硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61