硅片清洗液及其清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为３５～４５∶１，所述乙醇的质量百分比浓度为１８％～１００％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为４８％～５０％。本发明专利技术还公开了一种清洗硅片的方法，包括步骤：用去离子水清洗硅片；采用上述硅片清洗液清洗硅片。本发明专利技术的硅片清洗液及其清洗方法，能有效去除有机物沾污，提高氢氟酸清洗液的背面清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗M其清洗方法
本专利技术涉及半导体制造工艺中的清洗液，尤其涉及一种硅片清洗液及其清 洗方法。背景纟支术目前，在半导体制造工艺中，磨片后背面金属化之前通常釆用去离子水 氢氟酸(H20:HF)的清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的自然氧化层，因 为硅片表面无自然氧化层，是生长高纯外延薄膜和M0S电路栅极超薄氧化物的 关键。经氢氟酸浸泡之后，硅片表面完全被氢原子终止，在空气中具有很高的 稳定性，避免了再氧化。然而，磨片后的硅片上会存有少许有机物沾污，而现 有H20: HF清洗液不能有效去除有机物沾污，不仅导致金属化后金属层粘和不好， 而且会降低栅氧化层材料的致密性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种硅片清洗液，能有效去除有机物沾污， 提高氬氟酸清洗液的背面清洗效果。为此，本专利技术还提供一种清洗硅片的方法。为了解决上述技术问题，本专利技术的硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混 合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35~45: 1,所述乙醇的质量百分比浓度 为18%~100%,所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为48%~ 50%。所述乙醇与氬氟酸的体积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片清洗液，其特征在于，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为３５～４５∶１，所述乙醇的质量百分比浓度为１８％～１００％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为４８％～５０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]