硅片清洗液及其清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为３５～４５∶１，所述乙醇的质量百分比浓度为１８％～１００％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为４８％～５０％。本发明专利技术还公开了一种清洗硅片的方法，包括步骤：用去离子水清洗硅片；采用上述硅片清洗液清洗硅片。本发明专利技术的硅片清洗液及其清洗方法，能有效去除有机物沾污，提高氢氟酸清洗液的背面清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗M其清洗方法
本专利技术涉及半导体制造工艺中的清洗液，尤其涉及一种硅片清洗液及其清 洗方法。背景纟支术目前，在半导体制造工艺中，磨片后背面金属化之前通常釆用去离子水 氢氟酸(H20:HF)的清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的自然氧化层，因 为硅片表面无自然氧化层，是生长高纯外延薄膜和M0S电路栅极超薄氧化物的 关键。经氢氟酸浸泡之后，硅片表面完全被氢原子终止，在空气中具有很高的 稳定性，避免了再氧化。然而，磨片后的硅片上会存有少许有机物沾污，而现 有H20: HF清洗液不能有效去除有机物沾污，不仅导致金属化后金属层粘和不好， 而且会降低栅氧化层材料的致密性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种硅片清洗液，能有效去除有机物沾污， 提高氬氟酸清洗液的背面清洗效果。为此，本专利技术还提供一种清洗硅片的方法。为了解决上述技术问题，本专利技术的硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混 合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35~45: 1,所述乙醇的质量百分比浓度 为18%~100%,所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为48%~ 50%。所述乙醇与氬氟酸的体积比优选为40: 1。 所述乙醇的质量百分比浓度优选为85%~100%。 所述氢氟酸的质量百分比浓度优选为49°/ 。 本专利技术清洗硅片的方法，包括如下步骤3(1)用去离子水清洗硅片；(2 )采用上述硅片清洗液清洗硅片。所述步骤(2 )中，采用乙醇和氬氟酸的混合液清洗硅片时的温度为21。C ~ 23°C，清洗时间为30秒 60秒。所述乙醇和氢氟酸的混合液清洗的沾污包括自然氧化层、有机物沾污，该 有机物沾污的来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气。本专利技术的，由于采用的清洗液包含乙醇，能有效 清除硅片上的有机物沾污，且不影响氢氟酸清洗自然氧化层的效果，显著提高 了氬氟酸清洗硅片的效果。附图说明图1是釆用现有硅片清洗液清洗的硅片在金属化后的效果示意图； 图2是采用本专利技术硅片清洗液清洗的硅片在金属化后的效果示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术的硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸按35~45: 1的体积比混合而 成，所述乙醇的质量百分比浓度为18%~100%,优选为85%~100%，更优选为无 水乙醇，所述氢氟酸的质量百分比浓度为48%~50%，优选为49%。本专利技术硅片 清洗液的乙醇和氢氟酸的体积比为35~45: 1,如果氢氟酸太多，超过这个比例， 将会使硅片正面的金属也被腐蚀掉，如果氢氟酸太少，乙醇过多，会导致硅片 背面的Si02层不能被有效地腐蚀掉，经过多次实验和实际应用证实，本专利技术乙 醇和氢氟酸的体积比优选为40: 1。本专利技术清洗硅片的方法，包括如下步骤 (1)用去离子水清洗硅片；(2 )采用上述硅片清洗液清洗硅片。所述步骤(2 )中，采用乙醇和氢氟酸的混合液清洗硅片时的温度为21°C ~ 23°C ，清洗时间为30秒~ 60秒。 实施例1在硅片磨片后，用去离子水(纯水)冲洗硅片，再在2rc下，采用体积比为35: 1的乙醇与氢氟酸的混合液沖洗硅片30秒，其中所述乙醇的浓度为100%, 所述氢氟酸的浓度为48%，接着将硅片进行风干处理后，进一步进行背面金属化 工艺。实施例2在硅片磨片后，用去离子水(纯水)冲洗硅片，再在22。C下，采用体积比 为40: 1的乙醇与氲氟酸的混合液沖洗Z圭片40秒，其中所述乙醇的浓度为49%, 所述氬氟酸的浓度为49%,接着将硅片进行风干处理后，进一步进行背面金属化 工艺。实施例3在硅片磨片后，用去离子水(纯水)沖洗硅片，再在23。C下，采用体积比 为45: 1的乙醇与氩氟酸的混合液冲洗硅片60秒，其中所述乙醇的浓度为18%, 所述氢氟酸的浓度为50%,接着将硅片进行风干处理后，进一步进行背面金属化 工艺。实施例4在硅片磨片后，用去离子水(纯水)冲洗硅片，再在22。C下，采用体积比 为38: 1的乙醇与氢氟酸的混合液冲洗硅片50秒，其中所述乙醇的浓度为85%， 所述氢氟酸的浓度为50%,接着将硅片进行风干处理后，进一步进行背面金属化 工艺。经上述实施例的方法清洗的硅片参数稳定性明显增加。在其背面金属化后，通过金合金后观察其背面态，发现金属层的粘合性比原先的明显好(见图1、 2)， 图1为采用现有清洗液清洗的硅片在背面金属化后的照片，图2为采用本专利技术 清洗液清洗的硅片在背面金属化后的照片。由图l、 2可知，釆用本专利技术清洗液 清洗的硅片，在金属化后金属层粘合性更好，且金属层更加致密均匀。以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域 的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和 改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附 权利要求为准。权利要求1. 一种硅片清洗液，其特征在于，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35～45∶1，所述乙醇的质量百分比浓度为18％～100％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为48％～50％。2. 根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述乙醇与氢氟酸的体积 比为40: 1。3. 根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述乙醇的质量百分比浓 度为85%~100%。4. 根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述氢氟酸的质量百分比 浓度为49%。5. —种清洗硅片的方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)用去离子水清洗硅片；(2 )釆用权利要求1所述的硅片清洗液清洗硅片。6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)清洗硅片时 的温度为21°C ~23°C。7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)清洗硅片的 时间为30秒~ 60秒。全文摘要本专利技术公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35～45∶1，所述乙醇的质量百分比浓度为18％～100％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为48％～50％。本专利技术还公开了一种清洗硅片的方法，包括步骤用去离子水清洗硅片；采用上述硅片清洗液清洗硅片。本专利技术的，能有效去除有机物沾污，提高氢氟酸清洗液的背面清洗效果。文档编号C11D7/08GK101503650SQ20081006751公开日2009年8月12日 申请日期2008年5月29日 优先权日2008年5月29日专利技术者杰 李 申请人:深圳深爱半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片清洗液，其特征在于，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为３５～４５∶１，所述乙醇的质量百分比浓度为１８％～１００％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为４８％～５０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]