本发明涉及一种芯片薄膜的生成方法，包括以下步骤：将芯片放置在半导体材料制成的衬片的承载面上，所述芯片与衬片相接触的面为接触面，且所述衬片的承载面的面积大于所述芯片的接触面的面积；采用等离子增强型化学气相沉积法对所述芯片进行处理生成芯片薄...

本发明公开了一种双极晶体管的表面钝化结构，包括ＳＩＰＯＳ层、铝层、氮化硅层，所述铝层的部分区域通过铝布线光刻去除后生长成氮化硅层，还包括二氧化硅层，该二氧化硅层位于该双极晶体管的基区和发射区交界区域的硅片表面，在该二氧化硅层上依次为所述...

本发明公开了一种重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法，包括如下步骤：用双氧水和氨水的混合液处理重掺杂锑硅片；用去离子水冲洗重掺杂锑硅片；将表面保留有水膜的重掺杂锑硅片放入主要由氢氟酸和硝酸组成的酸性腐蚀液中反应。本发明的重掺杂锑硅片的减薄腐蚀方法...

本发明公开了一种硅片清洗液，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为３５～４５∶１，所述乙醇的质量百分比浓度为１８％～１００％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为４８％～５０％。本发明还公开了一种清洗硅...

本发明公开了一种防止ＶＤＭＯＳ管二次击穿的方法，包括步骤：在ＶＤＭＯＳ管制造过程中，采用掩膜光刻胶在硅片表面进行干法刻蚀；在真空条件下通入气体，该气体在射频作用下形成对掩膜光刻胶具有轰击能力的等离子体，用该等离子体去除掩膜光刻胶。本发明...

本发明公开了一种半导体芯片金硅焊料的合金工艺，包括步骤：Ｓ１将待合金的硅片进行表面处理；Ｓ２在真空条件下，在表面处理后的硅片背面蒸镀一层或多层金属层；Ｓ３将蒸镀有金属层的硅片送入快速退火炉进行合金处理，温度４９０－５５０℃，时间１０－５...

本发明公开了一种磁控溅射的方法，该磁控溅射方法包括以下步骤，送片 装置将待溅射的晶片送入装卸腔，由装卸腔里设置的旋转盘上的弹簧夹皮夹住 所述晶片；所述旋转盘将所述晶片旋转到溅射腔里溅射；在溅射过程中，往所 述溅射腔里通入冷却气体，冷却所...

本发明涉及一种ＶＤＭＯＳ器件版图结构以及制作方法，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的Ｐ＋区域，所述Ｐ＋区域呈网络结构且全部相互连接。本发明Ｐ＋区域为全部连接的网络结构的区域，不存在孤立的Ｐ＋区域，从而使得该版图结构中，所有Ｐ...

本发明涉及一种静电释放保护结构，静电释放保护结构串联在金属氧化物半导体场效应管的栅极和源极之间，静电释放保护结构是ＮＰＮ三极结构或ＰＮＰ三极结构。本发明还涉及一种具有静电释放保护结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。上述静...

本发明涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，其终端结构包括：硅基衬底，设于硅基衬底上的外延层，在外延层上部设置的至少一个分压环，位于外延层上的氧化层，设于氧化层上的多晶硅场板，多晶硅场板表面的玻璃层，以及设于玻璃层上的金属场板，所...

本实用新型公开了一种加热缸，包括内缸体、粘胶层及发热丝，该粘胶层为双面粘胶层，该双面粘胶层的内侧面粘贴于内缸体的侧向外壁及外底面之后；再将发热丝通过粘贴于双面粘胶层的外侧面而附着于内缸体的侧向外壁及外底面上。本实用新型所述加热缸加热均匀...

本实用新型公开了一种无级调压装置，包括电位器、可控硅和变压器，所述电位器的输出端与可控硅的控制极相连，控制可控硅导通角的大小，进而控制可控硅的负载电压；所述可控硅的输出端与变压器的输入端相连，用于控制变压器的输入电压使得变压器输出至坩锅...

本实用新型公开了一种防热散失挡板以及含有该挡板的扩散炉，所述挡板包括：一横截面与扩散炉内腔配合之板体，所述板体下部设有可与扩散炉底部凸台配合固定之缺口，所述板体上部还设有一卡口。其中，所述板体由碳化硅制成，或所述板体外层由石英制成，内层...

本实用新型一种酸槽温度控制系统，包括耐腐蚀的反应槽，在反应槽上设有换热水管，该酸槽温度控制系统还包括由水侧换热器、冷凝器、节流器以及压缩机，水侧换热器的制冷剂侧、冷凝器、节流器以及压缩机通过连接管连接形成制冷剂循环通路；在水侧换热器的水...

本实用新型涉及一种基片装取片台以及包含有该装取片台的镀膜设备，装取片台包括包含一支撑架以及相对于支撑架转动的托盘。装取片台可以作为单独的部件安装在镀膜设备上，也可以与镀膜设备一体制成：支撑架为镀膜设备工作平台的一部分或托盘为镀膜设备工作...

本实用新型公开了一种匀胶机的排液装置，至少包括两个第一排液管，其中一个用于排放匀胶液，另一个用于排放显影液，还包括一个第二排液管，所述两个第一排液管分别与该第二排液管相连通。本实用新型的排液装置，能有效防止匀胶液对排液管的堵塞，显著提高...

本实用新型公开了一种靶盘，包含底座以及安装于底座上的固定柱，所述底座一侧设有空槽，所述空槽内设有从硅片外侧将硅片压紧在所述固定柱上的的压紧件，所述压紧件包括连接杆、压片簧、卡杆及卡杆弹性件；所述连接杆横贯于空槽间，所述压片簧与卡杆呈一角...

本实用新型公开了一种夹取硅片的石英舟，包括固定条及两个以上卡片条，所述卡片条相互平行地固定在固定条上并与所述固定条垂直，所述卡片条上设有与硅片相适应的座槽。所述卡片条可以为底架条、两支架条、边架条的组合。所述底架条、支架条及边架条相互平...

一种复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺，它属于半导体生产技术领域，所述的复合型半导体硅器件钝化膜包括用光刻技术保留在硅基底节上的上、下两层的两种膜，上层膜为富氮型ＳｉＯｘＮｙ膜，下层膜为富氧型ＳｉＯｘＮｙ膜，其生成工艺为：在带有节的...

本实用新型提供了一种鼓泡装置以及具有鼓泡装置的腐蚀槽。鼓泡装置为一板状物，其一侧设有至少一个进气口和至少一个出气口，其内部设有一连接所述出气口和进气口的通道。该装置可以搁置在腐蚀槽的底壁也可以为腐蚀槽槽体的一部分。出气口可以为均匀设置的...