具有不同厚度的绝缘层和传导电极的电子器件及形成方法技术

一种电子器件包括晶体管，其中电子器件可包括具有主表面的半导体层、沟道区、栅电极、源极区、传导电极，以及位于半导体层的主表面和传导电极之间的绝缘层。绝缘层具有第一区和第二区，其中第一区比第二区薄。沟道区、栅电极、源极区或其任意组合离第一区比离第二区近。较薄部分可允许晶体管更快速的转换，而更厚部分可允许横跨绝缘层设置相对较大的电压差。还描述了晶体管在绝缘层的不同区之间的过渡的可选形状以及实现此形状的示范性方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容涉及电子器件和形成电子器件的方法，且更具体地说，涉及包括具有不同厚度的绝缘层和传导电极的电子器件以及形成该电子器件的方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种常见类型的功率转换器件。MOSFET包括源极区、漏极区、在源极区和漏极区之间延伸的沟道区以及邻近沟道区设置的栅极结构(gatestructure)。栅极结构包括邻近沟道区设置并通过薄电介质层与沟道区间隔开的栅电极层。当MOSFET处于导通状态时，电压施加到栅极结构以在源极区和漏极区之间形成导电沟道区，这允许电流流过此器件。在闭合状态，施加到栅极结构的任何电压都足够低以至于导电沟道无法形成，并且因此电流无法发生。在闭合状态期间，此器件必须支持在源极区和漏极区之间的高电压。在优化MOSFET的性能时，设计者经常面临对器件参数性能的权衡。明确地说，可利用的器件结构或制作方法的选择可提高一个器件参数，但同时，这样的选择可能会降低一个或多个其他器件参数。例如，提高MOSFET的电阻(RDSON)的可利用的结构和方法可降低击穿电压(BVDSS)，并增加MOSFET内的区之间的寄生电容。附图说明通过举例阐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其包括：半导体层，其具有主表面；沟道区；传导电极；以及绝缘层，其位于所述主表面和所述传导电极之间，其中，所述绝缘层具有第一区和第二区，所述第一区比所述第二区薄，且所述沟道区离所述第一区比离所述第二区近。

【技术特征摘要】
US 2008-12-17 12/337,3061.一种电子器件，其包括：半导体层，其具有主表面；沟道区；传导电极；以及绝缘层，其位于所述主表面和所述传导电极之间，其中，所述绝缘层具有第一区和第二区，所述第一区比所述第二区薄，且所述沟道区离所述第一区比离所述第二区近。2.如权利要求1所述的电子器件，其进一步包括：源极区，其与所述沟道区相邻地放置；传导结构，其位于所述半导体层中的槽内；以及表面掺杂区，其与下面掺杂区间隔开，其中：所述沟道区离所述表面掺杂区比离所述传导结构近；所述绝缘层的所述第一区盖在所述表面掺杂区之上；且所述绝缘层的所述第二区盖在所述传导结构之上。3.一种电子器件，其包括：半导体层，其具有主表面和在所述半导体层中的槽，所述槽从所述主表面延伸；传导结构，其位于所述槽内；栅电极，其盖在所述半导体层之上；绝缘层，其包括第一区和第二区，其中，所述第二区比所述第一区厚，所述栅电极离所述第一区比离所述第二区近，且所述第二区盖在所述传导结构之上；以及传导电极，其盖在所述绝缘层的所述第一区和所述第二区以及所述传导结构之上。4.如权利要求3所述的电子器件，其进一步包括：源极区，其与所述栅电极相邻地放置；沟道区，其与所述源极区和所述栅电极相邻地放置；传导结构，其位于所述半导体层中的槽内；下面掺杂区，其位于所述半导体层和所述传导结构下面；以及表面掺杂区，其与所述下面掺杂区间隔开，其中：与所述传导结构相比，所述沟道区更靠近所述表面掺杂区；所述绝缘层的所述第一区...

【专利技术属性】
技术研发人员：GH罗切尔特，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]