一种薄型发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术以一种能令芯片架设在优选高度位置的金属支架构造作为基础，而运用于薄型发光二极管及其线架，以使薄型发光二极管能呈现出所需的光照角度；该金属支架，具有一芯片承载部、复数个与芯片承载部周缘保持隔绝间距的导电端子，该芯片承载部厚度大于导电端子，且其底部具有冲压而成的穴槽、顶部具有一在穴槽成型时向上推挤而出以供芯片架设的上凸部，据此以通过冲压穴槽的技术，来简化制造工序、降低产业成本，并且还能以控制穴槽冲压深度的手段来改变上凸部的凸伸高度，以控制芯片的架设高度，除此之外，芯片承载部与芯片之间电热分离，其底面的导热效果也因穴槽的形成而有所提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管及其制造方法，尤其涉及一种薄型发光二极管 及其制造方法。
技术介绍
为了能控制薄型发光二极管(SMD LED),在实施时所呈现的光照角度， 一般 而言会在薄型发光二极管上设置透镜(又称光罩、透光盖等)，以使薄型发光 二极管能散发出聚光或广角照射的效果；或者，可在薄型发光二极管制造时的 封装阶段，直接令封装体呈现具有透镜效果的造型，而免除了透镜的设置。然而，在控制薄型发光二极管光照角度的过程中，除了对透镜或封装体所 呈现的曲度进行控制外，最重要的就是控制光源产生的位置，以使产生的光源 能与透镜或封装体的曲度配合，才能令光照角度符合预期的结果，而芯片架设 的高度，直接影响了光源焦距， 一般而言，当芯片架设的越高时，芯片所产生 的光源较不会朝四周散射，也因此能产生较集中的光源(光照角度较小、有效照 射距离较远)。为了使芯片能够被架高以呈现出期望的光照角度，现有技术设计出结构复 杂的金属支架结构，并且必须在标准的制造过程中增加许多工序，以使芯片能 被架设在较高的位置，例如中国台湾专利公报所刊载公告编号第441045号(可表面安装的发光二极管 封装体)所示，以特制元件的手段，来产生供芯片架高的结构；其实施时先预 留一腔穴，再在腔穴中另外嵌入一具高度较高的散热体，以使芯片能够被架设 在较高的位置，类似种现有技术手段由于在制造过程中，必须增加预留腔穴、 预制散热体、置入散热体、固定散热体等工序，因此不但容易降低产品的良率， 也增加了许多的制造成本。此外，中国台湾专利公报所刊载证书号M279026 (表面粘着型发光二极管基 座」所示，运用多层次结堆叠的手段，来产生供芯片架高的结构，此种多层次4结堆叠的手段在实施上会消耗许多的金属基板，且还必须增加冲压与组合对位 等额外工序，也容易造成产品良率降低及增加制造成本的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，在于提供，以简化 制造工序、降低产业成本，控制芯片的架设高度，并使导热效果获得提升。为达上述目的，本专利技术提供一种薄型发光二极管的制造方法，其包含下列 步骤金属钣片生成步骤预制一片状的金属钣片，在所述金属钣片的底面形成 至少两个平行排列的凸块；冲压金属支架步骤以冲压手段在所述金属钣片上冲出多个整齐排列的金 属支架，每一金属支架具有一芯片承载部、复数个与所述芯片承载部周缘保持 隔绝间距的导电端子；所述的芯片承载部位于所述凸块上，其厚度大于导电端 子的厚度，且其底部具有冲压而成的穴槽、顶部具有一在所述穴槽成型时向上 推挤而出以供架设芯片的上凸部；线架成型步骤以射出成型方式在每一金属支架上设置一碗状基座，并在 所述芯片承载部和所述导电端子的顶面形成一碗状容置空间，使得所述芯片承 载部的底面与所述穴槽裸露于所述碗状基座的底面；固晶步骤将所述芯片设置在所述芯片承载部的上凸部上；打线步骤将导线连接在所述芯片与所述导电端子之间；封装步骤在所述碗状容置空间中注入封装体，以将所述芯片和所述导线 封装，在所述金属钣片上形成多个整齐排列的薄型发光二极管；切断步骤将每一薄型发光二极管自所述金属钣片上切断分离。本专利技术还提供了一种薄型发光二极管，其包含一金属支架，具有一芯片承载部、以及复数个与所述芯片承载部保持隔绝 的导电端子；所述芯片承载部的厚度大于所述导电端子的厚度，且其底部具有 冲压而成的穴槽，其顶部具有一在所述穴槽成型时向上推挤而出以供架设芯片 的上凸部；一碗状基座，所述碗状基座射出成型于所述金属支架，以在所述芯片承载 部和所述导电端子的顶面形成有一碗状容置空间，所述芯片承载部底面与所述 穴槽裸露在碗状基座底面；一芯片，设置在所述芯片承载部上；导线，连接在所述芯片与所述导电端子之间；一封装体，填充在所述碗状容置空间中，将所述芯片和所述导线封装。 本专利技术还提供了一种薄型发光二极管的金属支架构造，其具有一芯片承载 部、复数个与所述芯片承载部保持隔绝的导电端子；所述芯片承载部的厚度大 于所述导电端子的厚度，且其底部具有冲压而成的穴槽，其顶部具有一在所述 穴槽成型时向上推挤而出的上凸部。本专利技术还提供了一种薄型发光二极管的线架构造，其包括金属钣片、至少 两个金属支架、碗状基座，其中，所述至少两个金属支架整齐排列，冲设于所述金属钣片上； 所述金属支架具有一芯片承载部、复数个与芯片承载部保持隔绝的导鬼端 子；所述芯片承载部的厚度大于所述导电端子的厚度，且其底部具有冲压而成 的穴槽，其顶部具有一在所述穴槽成型时向上推挤而出的上凸部；所述碗状基座，射出成型在所述金属支架上，以在所述芯片承载部和所述 导电端子的顶面形成一碗状容置空间，所述芯片承载部的底面与所述穴槽裸露 在所述碗状基座的底面。与现有技术相比，本专利技术令芯片承载部的底部具有冲压而成的穴槽，通过 冲压穴槽的技术，来简化制造工序、降低产业成本，并且还能以控制穴槽冲压 深度的手段来改变上凸部的凸伸高度，以控制芯片的架设高度，除此之外，芯 片承载部与芯片之间电热分离，其穴槽还能增加芯片承载部底面的导热面积， 以使导热效果获得提升，以利产业发展。附图说明图1是本专利技术优选实施例所述薄型发光二极管的制造方法示意图。图2是本专利技术优选实施例的金属钣片剖视示意图。图3是本专利技术优选实施例的金属支架平面图。图4是本专利技术优选实施例的金属支架局部立体示意图。图5是本专利技术优选实施例的线架平面图。图6是本专利技术优选实施例的线架局部立体示意图。图7是本专利技术优选实施例的薄型发光二极管剖视图。图8是本专利技术优选实施例的薄型发光二极管底面示意图。附图标记说明100-金属钣片；101-凸块；10-金属支架；ll-芯片承载部； 12-导电端子；13-穴槽；14-上凸部；15-凹阶部；16-贯孔；20-碗状基座；21-遮罩体；30-芯片；40-导线；50-封装体；60-对位孔。具体实施例方式以下结合附图，对专利技术上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。图l是本专利技术优选实施例所述的薄型发光二极管的制造方法的示意图，其 包含下列步骤步骤a:金属钣片生成、步骤b:冲压金属支架、步骤C:线架 成型、步骤d:固晶、步骤e:打线、步骤f:封装、以及步骤g:切断，以获 得薄型发光二极管的完成品。请参阅图1和图2，其中图2是本专利技术优选实施例的金属钣片的剖视示意图， 在制造薄型发光二极管时，先进行步骤a,预制一具薄片状的金属钣片100，并 在所述金属钣片100的底面形成至少两个平行排列的凸块101。请参阅图1和图3、图4，其中图3和图4是本专利技术优选实施例的金属支架 平面图、局部立体示意图，在步骤b中，以冲压手段在所述金属钣片IOO上冲 出多个整齐排列的金属支架10，以及复数个位于所述金属钣片100两侧的对位 孔60。每一金属支架10具有一芯片承载部11、以及复数个与所述芯片承载部11 周缘保持隔绝间距的导电端子12;所述芯片承载部11位于所述凸块101上，其 厚度大于所述导电端子12的厚度，且其底部具有冲压而成的穴槽13、顶部具有 一在所述穴槽13成型时向上推挤而出以供芯片架设的上凸部14。请参阅图l、图5和图6，其中图5和图6是本专利技术优选实施例的线架平面 图、局部立体示意图。步骤c:以射出成型手段在每一金属支架10上设置一碗状基座20，并在所 述芯片承载部11和所述导电端子12的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄型发光二极管的制造方法，其特征在于，其包含下列步骤：　金属钣片生成步骤：预制一片状的金属钣片，在所述金属钣片的底面形成至少两个平行排列的凸块；　冲压金属支架步骤：以冲压手段在所述金属钣片上冲出多个整齐排列的金属支架，每一金属支架具有一芯片承载部、复数个与所述芯片承载部周缘保持隔绝间距的导电端子；所述的芯片承载部位于所述凸块上，其厚度大于导电端子的厚度，且其底部具有冲压而成的穴槽，其顶部具有一在所述穴槽成型时向上推挤而出以供架设芯片的上凸部；　线架成型步骤：以射出成型方式在每一金属支架上设置一碗状基座，并在所述芯片承载部和所述导电端子的顶面形成一碗状容置空间，使得所述芯片承载部的底面与所述穴槽裸露于所述碗状基座的底面；　固晶步骤：将所述芯片设置在所述芯片承载部的上凸部上；　打线步骤：将导线连接在所述芯片与所述导电端子之间；　封装步骤：在所述碗状容置空间中注入封装体，以将所述芯片和所述导线封装，在所述金属钣片上形成多个整齐排列的薄型发光二极管；　切断步骤：将每一薄型发光二极管自所述金属钣片上切断分离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永华，
申请(专利权)人：陈永华，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]