半导体装置和包括该半导体装置的电子系统制造方法及图纸

技术编号:41882040 阅读:17 留言:0更新日期:2024-07-02 00:36
提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括:交替地堆叠在衬底的上表面上的栅极层和下绝缘层、穿过栅极层和下绝缘层并在竖直方向上延伸的沟道结构、设置在沟道结构上的串选择栅极层、穿过串选择栅极层并在竖直方向上延伸的串选择沟道结构、以及设置在沟道结构和串选择沟道结构之间的空间中并将沟道结构连接至串选择沟道结构的接触焊盘。接触焊盘的下表面接触沟道结构,并且接触焊盘的上表面接触串选择沟道结构。接触焊盘的下表面的第一宽度大于接触焊盘的中心部分的第二宽度。接触焊盘的上表面的第三宽度大于接触焊盘的中心部分的第二宽度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统


技术介绍

1、半导体材料在预定条件下导电。通过使用该半导体材料,可以制造包括存储器装置的各种半导体装置。这种存储器装置可以被分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置即使在向其供应的电力被切断时也可以保持存储在其中的内容不丢失。非易失性存储器装置可以被用于各种电子装置,诸如移动电话、数码相机和pc。

2、最近,在需要数据存储的电子系统中,期望能够存储高容量数据的半导体装置。因此,正在研究能够增加半导体装置的数据存储容量的方法。例如,作为用于增加半导体装置的数据存储容量的方法中的一种,已经提出了包括三维布置的存储器单元晶体管而非二维布置的存储器单元晶体管的半导体装置。


技术实现思路

1、实施例提供了一种可以改进可靠性和生产率的半导体装置以及包括该半导体装置的电子系统。

2、根据实施例,一种半导体装置包括:多个栅极层和多个下绝缘层,多个栅极层和多个下绝缘层在垂直于衬底的上表面的竖直方向上交替地堆叠在衬底的上表面上;沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

4.根据权利要求2所述的半导体装置,

5.根据权利要求2所述的半导体装置,

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

7.根据权利要求2所述的半导体装置,

8.根据权利要求1所述的半导体装置,

9.根据权利要求2所述的半导体装置,

10.根据权利要求2所述的半导体装置,还包括:

11.根据权利要求10所述的半导体装置,

12.根据权利要求11所述的半导体装置,...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

4.根据权利要求2所述的半导体装置,

5.根据权利要求2所述的半导体装置,

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

7.根据权利要求2所述的半导体装置,

8.根据权利要求1所述的半导体装置,

9.根据权利要求2所述的半导体装置,

10.根据权利要求2所述的半导体装置,还包括:

11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔贤默金彩姈金志红
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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