薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管的方法技术

技术编号：41882041 阅读：19 留言：0更新日期：2024-07-02 00:36

本发明专利技术涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管包括栅极电极和在基板与栅极电极之间的层叠的氧化物区域。层叠的氧化物区域包括第一氧化物层和第二氧化物层。沟道区域包括第一氧化物层的第一区域，源极/漏极区域包括彼此上下叠置的第一氧化物层的第二区域和第二氧化物层的第一区域。第一氧化物层的迁移率大于第二氧化物层的迁移率。第一杂质原子在层叠方向上的浓度分布中的峰值位置与第二氧化物层的第一区域的顶面之间的距离短于所述峰值位置与第一氧化物层的第二区域的顶面之间的距离。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管的方法。

技术介绍

1、氧化物薄膜晶体管(tft)被用于各种设备中，例如用于包括液晶显示设备和有机发光二极管(oled)显示设备的显示设备、以及存储器设备中。氧化物薄膜晶体管具有产生低漏电流的特性，但是与低温多晶硅tft相比具有低迁移率。由于这个原因，已经研究了具有高迁移率的氧化物半导体材料。

2、氧化物tft的氧化物层包括沟道区域和夹置沟道区域的源极/漏极区域。源极/漏极区域是电阻小于沟道区域的低电阻区域。低电阻区域可以通过将氧化物层暴露于特定元素的等离子体或向氧化物层注入杂质离子来形成。

技术实现思路

1、改善氧化物tft的特性的已知技术之一是层叠不同的氧化物材料。同时，通过注入杂质离子来降低电阻率可以在设计沟道长度和有效沟道长度之间产生较小的差异δl，并且因此使得与用等离子体降低电阻率相比，tft能够具有更短的沟道。然而，专利技术人的研究表明，一些氧化物材料需要比其他氧化物材料掺杂更多的杂质离子才能具有低电阻率。因此，需要一种有...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述沟道区域还包括所述第二氧化物层的第二区域。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一氧化物具有比所述第二氧化物更高的迁移率。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述峰值位置位于所述第二氧化物层的所述第一区域的顶面附近。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一氧化物层是下层，所述第二氧化物层是上层。

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【技术特征摘要】