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本发明涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管包括栅极电极和在基板与栅极电极之间的层叠的氧化物区域。层叠的氧化物区域包括第一氧化物层和第二氧化物层。沟道区域包括第一氧化物层的第一区域，源极/漏极区域包括彼此上下叠置的第一氧化物层...
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