【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、作为用于增加半导体装置密度的缩放技术之一，已经提出了一种多栅极晶体管，其中在衬底上形成具有鳍状或纳米线形状的多沟道有源图案(或硅体)，并且在多沟道有源图案的表面上形成栅极。
2、这种多栅极晶体管使用三维沟道，因此容易按比例缩小晶体管。另外，可以在不增加多栅极晶体管的栅极长度的情况下提高电流控制能力。此外，可以有效抑制沟道区的电位受漏极电压影响的短沟道效应(short channel effect，sce)。
3、同时，随着半导体装置的间距(pitch size)减小，已经进行了研究以减小电容并确保半导体装置中接触之间的电稳定性。
技术实现思路
1、本公开的各方面提供了一种能够改进元件的性能和可靠性的半导体装置。
2、根据本专利技术构思的一些方面，一种半导体装置包括：衬底，其包括在垂直于第一表面的竖直方向上彼此相对的第一表面和第二表面；鳍状图案，其设在衬底的第一表面处且在平行于第一表面的第一水平方向上延伸；场绝缘膜...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
11.根据权利要求1所...
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