薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备制造技术

提供了一种薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：有源层；以及栅电极，栅电极至少部分地与有源层交叠。此外，有源层包括：第一有源层和第一有源层上的第二有源层；沟道；第一连接部，第一连接部与沟道的第一侧接触；以及第二连接部，第二连接部与沟道的第二侧接触。另外，沟道包括：第一交叠区域，基于平面图，第一有源层与第二有源层在第一交叠区域中彼此交叠；以及第一非交叠区域，基于平面图，第一有源层与第二有源层在第一非交叠区域中彼此不交叠。此外，第一有源层和第二有源层中的每一个从第一连接部延伸到第二连接部。第二有源层的迁移率大于第一有源层的迁移率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种薄膜晶体管及包括其的显示设备。

技术介绍

1、在电子设备领域，晶体管被广泛用作开关装置或驱动装置。具体地，因为薄膜晶体管能够被制造在玻璃基板或塑料基板上，薄膜晶体管被广泛用作诸如液晶显示设备、有机发光设备的显示设备的开关装置。

2、显示设备可以包括例如开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。通常，优选驱动薄膜晶体管具有大的s因子(或子阈值摆幅)来呈现灰度。

3、然而，薄膜晶体管通常具有小的s因子以确保导通-截止特性。因此，当这薄膜晶体管被应用于显示设备的驱动薄膜晶体管时，难以呈现显示设备的灰度。

4、因此，应用于显示设备的驱动薄膜晶体管的薄膜晶体管也需要具有大的s因子来容易地表达灰度。此外，即使薄膜晶体管具有大的s因子，薄膜晶体管也应当具有在on状态下的优异的电流特性。

技术实现思路

1、本公开是鉴于上述问题来做出的，并且本公开的目的在于提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有大的s因子并且具有在on状态下的优异的电流特性。

2、本公开的另一目的在于提供一种薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道的所述第一交叠区域从所述第一连接部延伸到所述第二连接部。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道的所述第一非交叠区域从所述第一连接部延伸到所述第二连接部。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二有源层在所述沟道中覆盖所述第一有源层的上表面。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，基于所述平面图，所述第二有源层被设置在所述沟道的区域中。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层不被设置在所述沟道的...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道的所述第一交叠区域从所述第一连接部延伸到所述第二连接部。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道的所述第一非交叠区域从所述第一连接部延伸到所述第二连接部。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二有源层在所述沟道中覆盖所述第一有源层的上表面。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，基于所述平面图，所述第二有源层被设置在所述沟道的区域中。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层不被设置在所述沟道的所述第一非交叠区域中。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层还包括位于所述第二有源层上的第三有源层，

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第三有源层被设置在所述沟道的所述第一交叠区域和所述第一非交叠区域中。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第三有源层不被设置在所述沟道的所述第一非交叠区域中。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道还包括第二非交叠区域，基于所述平面图，所述第一有源层与所述第二有源层在所述第二非交叠区域中彼此不交叠，并且

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层不被设置在所述沟道的所述第二非交叠区域中。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层还包括位于所述第二有源层上的第三有源层，

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔圣主，薛玹珠，郑进元，朴在润，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：