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一种半导体装置，包括：鳍状图案；场绝缘膜，该场绝缘膜覆盖鳍状图案的侧壁；源极/漏极图案，该源极/漏极图案设置在鳍状图案的上表面上；源极/漏极蚀刻停止膜，该源极/漏极蚀刻停止膜沿着场绝缘膜的上表面和源极/漏极图案的侧壁延伸；源极/漏极接触，该...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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