晶片沉积设备的颗粒清除装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶片沉积设备的颗粒清除装置及方法，包括：工艺腔室，配置有吸盘、升降装置与花洒头，所述吸盘固定晶片，所述升降装置升降所述吸盘；传送腔室，配置有机械臂，所述机械臂传送所述晶片；闸门，设置在所述工艺腔室与所述传送腔室之间；吹扫阀门，设置在连接于所述花洒头的吹扫气体供应线路；真空泵与节流阀，设置在所述工艺腔室的泵送线路；压力控制用气体供应线路，连接于所述传送腔室；压力控制器，设置在所述压力控制用气体供应线路，将所述传送腔室的压力保持在高于所述工艺腔室的压力；及控制部，控制所述吸盘、所述升降装置、所述机械臂、所述闸门、所述吹扫阀门、所述真空泵、所述节流阀、所述压力控制器的运行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片沉积设备的颗粒清除装置及方法，更详细地说，涉及可清除传送腔室的颗粒的晶片沉积设备的颗粒清除装置及方法。

技术介绍

1、晶片沉积设备是用于在晶片的表面形成所需物质的薄膜的，而薄膜的形成是在可形成真空及等离子体的工艺腔室中执行。

2、通常，如图1所示，晶片沉积设备包括工艺腔室1与传送腔室2。在所述工艺腔室1与所述传送腔室2之间设置闸门3，控制该闸门3的开放或者关闭，进而可开放或者关闭所述工艺腔室1与所述传送腔室2。

3、在所述工艺腔室1的内部设置吸盘4，以在进行沉积工艺的过程中固定晶片w，所述吸盘4通过升降装置5能够以上下方向进行移动。在所述传送腔室2设置用于传送晶片w的机械臂6。

4、另外，虽未示出，但是所述工艺腔室1连接用于在内部形成真空及等离子体的装置、反应气体供应线路、吹扫气体供应线路、泵送线路等。

5、因此，晶片沉积设备通过所述机械臂6向所述工艺腔室1供应所述晶片w，在形成已设定的工艺环境之后可实施沉积工艺(图2的沉积工艺步骤s1)。

6、然后，再参照图2，晶片沉积设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片沉积设备的颗粒清除装置，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种晶片沉积设备的颗粒清除装置，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的晶片沉积设备的颗粒清除装置，其特征在于，

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩受，朴绍延，河圣守，李圣徒，陈昌炫，李重宪，金在贤，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：