【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。
技术介绍
1、为了制造半导体装置，在基板(诸如晶圆)上执行各种过程，诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积以形成期望图案。在每个过程中使用各种处理液和处理气体，并且在过程期间形成颗粒和过程副产物。在每个过程前后执行清洁过程以将这种颗粒和过程副产物从基板去除。
2、在本技术中，清洁过程液体用化学品和冲洗液来处理基板。此外，执行干燥过程以去除残留在基板上的化学品和冲洗液。干燥过程的示例可以包括旋转干燥过程，在这个过程中，基板被高速旋转以去除残留在基板上的冲洗液。然而，在这种旋转干燥方法中，令人担忧的是形成在基板上的图案可能坍塌。
3、最近，使用了超临界干燥过程，以用于将有机溶剂、诸如异丙醇(ipa)供应到基板上，以用具有低表面张力的有机溶剂替换残留在基板上的冲洗液，然后将超临界状态的干燥气体(例如二氧化碳)供应到基板上，以去除残留在基板上的有机溶剂。
技术实现思路
1、提供了一种用于在供应超临界流体时通过保持单相来校正流...
【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述流体供应单元还包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述压力传感器和所述温度传感器布置在所述流体供应源内部。
4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述压力传感器和所述温度传感器安装在所述供应管线中并且定位在所述流体供应源与所述流量控制阀之间。
5.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述控制器还被配置为通过基于分别由所述温度传感器和所述压力传感器测量的温度信息和压力信息提供反馈来控制所述流量测量构件内部所述超临界流体的状态。<...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述流体供应单元还包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述压力传感器和所述温度传感器布置在所述流体供应源内部。
4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述压力传感器和所述温度传感器安装在所述供应管线中并且定位在所述流体供应源与所述流量控制阀之间。
5.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述控制器还被配置为通过基于分别由所述温度传感器和所述压力传感器测量的温度信息和压力信息提供反馈来控制所述流量测量构件内部所述超临界流体的状态。
6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述控制器还被配置为控制所述流体供应单元将所述流量测量构件内部所述超临界流体的状态保持为超临界单相。
7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述控制器还被配置为将所述流量测量构件的内部压力控制为至少73巴，并且将所述流量测量构件的内部温度控制为至少31℃。
8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述流体供应源包括被配置为加热所述超临界流体的加热构件。
9.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述流体供应单元还包括包围所述供应管线和所述流量测量构件的表面的绝缘体。
10.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述流体排出单元包括：
11.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述流体供应源被配置为储存和/或供应所述超临界流体。
12.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述控制器还被配置为控制所述超临界流体的温度和压力中的至少一者，使得位于所述...
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