晶片工艺腔室的零部件分离装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶片工艺腔室的零部件分离装置，包括：底座部件；外壳，设置在所述底座部件的上面，并且具有上部开口的柱形状；操作轴，贯通设置在形成在所述外壳一侧部的轴设置部；升降部件，通过齿轮及螺丝组件与所述操作轴连接，根据所述操作轴的旋转方向上升或者下降运行；及止动件，以向前方突出的状态形成在连接部的上端，所述连接部直立设置在所述底座部件的前方端部，在分离对象零部件通过所述升降部件上升时，加压粘固于所述分离对象零部件下面的另一分离对象零部件的上面来进行固定。因此，根据本发明专利技术的晶片工艺腔室的零部件分离装置为，可从晶片工艺腔室的腔室盖容易、快速且不变形地分离粘固的花洒头、内衬等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶片工艺腔室的零部件分离装置，更详细地说，涉及可使晶片工艺腔室的花洒头与内衬容易分离的晶片工艺腔室的零部件分离装置。

技术介绍

1、半导体芯片是在晶片实施氧化工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、沉积及离子注入工艺、金属布线工艺、测试工艺、封装工艺等制造而成。

2、在所述工艺中，蚀刻工艺与沉积及离子注入工艺在可形成真空与等离子体的晶片工艺腔室(以下，与“工艺腔室”混用)内实施。

3、通常，所述工艺腔室包括腔室主体与腔室盖。在所述腔室主体连接真空泵，以在所述工艺腔室内部可形成真空。另外，在所述腔室盖配置花洒头，所述花洒头将供应于所述工艺腔室内部的反应气体均匀分散于晶片的整个面积，所述花洒头通过陶瓷材料的内衬被所述腔室盖支撑。

4、在所述腔室主体的上部关上所述腔室盖的状态下，在所述工艺腔室的内部形成真空的同时形成等离子体，进而在晶片的表面形成薄膜。

5、若多次反复实施如上所述的工艺，则因为在所述工艺腔室形成的高温与高真空压导致相互面接触的零部件(所述花洒头、所述内衬等)相互粘固或者粘固于所述腔室盖的现象。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片工艺腔室的零部件分离装置，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其...

【技术特征摘要】

1.一种晶片工艺腔室的零部件分离装置，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的晶片工艺腔室的零部件分离装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的晶片工艺腔室的零部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄领务，车东壹，李东昊，金洙千，金官希，宋秀静，河南，李俊范，金京洙，李虎峻，罗载文，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：