场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路装置制造方法及图纸

提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物(IGTO)膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施例涉及一种场效应晶体管和/或包括该场效应晶体管的集成电路装置。更具体地，各种示例实施例涉及一种包括氧化铟镓锌(igzo)半导体的场效应晶体管和/或包括该场效应晶体管的集成电路装置。

技术介绍

1、随着晶体管的集成密度随着半导体装置的缩小而增加，漏电流由于短沟道效应而增加。为了改善漏电流，正在开发使用具有低漏电流特性的氧化物半导体的晶体管。

技术实现思路

1、各种示例实施例可以提供一种通过改善接触电阻而具有增加的电特性和/或可靠性的场效应晶体管。可替换地或额外地，一些示例实施例可以提供包括该场效应晶体管的集成电路装置。

2、各种示例实施例不限于以上提及的内容，并且通过以下的描述本领域技术人员将清楚地理解未提及的其它方面。

3、根据各种示例实施例的一方面，提供了一种场效应晶体管。

4、场效应晶体管包括：绝缘阻挡层，其在衬底上；栅电极，其在绝缘阻挡层上沿一个方向延伸；栅极绝缘层，其覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面；氧化物半导体层，其在栅极绝缘层上并包括从铟(in)和锌(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种场效应晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述铟镓锡氧化物膜的厚度为5nm至12nm。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述铟镓锡氧化物膜具有至少20at％的锡浓度。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述氧化物半导体层还包括镓。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述导电金属氮化物膜包括氮化钛和氮化钽中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述导电金属氮化物膜的厚度为2nm至4nm。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述...

【技术特征摘要】

1.一种场效应晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述铟镓锡氧化物膜的厚度为5nm至12nm。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述铟镓锡氧化物膜具有至少20at％的锡浓度。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述氧化物半导体层还包括镓。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述导电金属氮化物膜包括氮化钛和氮化钽中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述导电金属氮化物膜的厚度为2nm至4nm。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述顶部封盖层包括氧化铟锡。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极绝缘层包括氧化硅。

9.一种集成电路装置，包括：

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，所述铟镓锡氧化物膜的厚度为5nm至12nm。

11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李升姬，郑在景，徐承完，卓容奭，金俞琳，金台原，郑宙希，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：