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提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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