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提供了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：交替地堆叠在衬底的上表面上的栅极层和下绝缘层、穿过栅极层和下绝缘层并在竖直方向上延伸的沟道结构、设置在沟道结构上的串选择栅极层、穿过串选择栅极层并在竖直方向上延伸的串选择沟道结构、以及设...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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