相移掩膜缺陷修复方法技术

本发明专利技术揭露了一种相移掩膜缺陷的修复方法，其于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时，利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板，包括以下步骤：设定聚焦离子束的临界刻蚀次数；利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数。可见，本发明专利技术利用聚焦离子束刻蚀需要修复的基板区域直至达到此区域的厚度所带来的相位延迟接近或达到无缺陷时的要求并利用临界刻蚀次数来决定上述需刻蚀的深度，从而突破了现有技术的瓶颈，满足了现有技术中无法很好修复的相移掩膜的规格要求。

Method for repairing phase shift mask defect

The invention discloses a phase shift mask defect repair method, a defect detection to the phase shift mask on the transparent substrate, transparent substrate using focused ion beam etching of the defect position, which comprises the following steps: setting the number of critical etching focused ion beam; transparent substrate using focused ion beam etching where the defect to the critical etching number. Therefore, the invention uses focused ion beam etching to substrate area repair this area until it reaches the phase delay caused by the thickness close to or reach without defect requirements and use to determine the critical etching number to be etched depth, so as to break the bottleneck of the existing technology, the existing technology can not meet the good repair phase shift mask specifications.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种掩膜缺陷的修复方法，特别是涉及一种相移掩膜缺陷的修 复方法。
技术介绍
在半导体制造的整个流程中，掩膜的制造是流程衔接的关键部分，也是流 程中造价较高的一部分。而掩膜于制造中往往会产生缺陷，且其缺陷将影响到 每一个相应芯片的质量。为此，掩膜的缺陷检测与修复技术获得了较大的发展。另外，随着半导体元件尺寸的缩小与复杂度的提高，相移掩膜以其较好的改善了分辨率与聚焦深度而获得了快速的发展，其采用将入射光的相位延迟180 度的原理制成。如图1所示，其为一种已知的嵌入式相移掩膜的截面示意图。 其于透明基板IO (如，石英基板)与不透光层(如，铬层)30之间形成相移层 20,通过适当设定相移层20的厚度或选取合适折射率的材料，而使得入射光的 相位延迟180度，此时掩膜上便形成了透光区Ac与不透光区Ao所构成的图形。 然而正如前面所述，掩膜于制造中往往会产生缺陷，例如材料的过多或缺 失而导致石英的起伏等问题。为了修复这种缺陷，现有技术往往利用聚焦离子 束系统去除掉过多的材料或利用萘气等淀积*卜足缺失区域，然而此种方法在应 用于某些规格要求的掩膜中时，如0.3um图形掩膜，难以达到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，包括：　于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时，利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板，其包括：　设定聚焦离子束的临界刻蚀次数；　利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述 临界刻蚀次数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]