液晶面板的像素缺陷修复方法及液晶面板技术

本发明专利技术提供一种液晶面板的像素缺陷修复方法，包括：提供一液晶面板，该液晶面板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷；判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复，当缺陷类型为主像素缺陷时，采用第一修复方法进行暗点化修复；当缺陷类型为子像素缺陷时，采用第二修复方法进行暗点化修复。本发明专利技术还提供一种液晶面板。液晶面板的像素缺陷修复方法能有效缩减液晶面板的暗点化修复工序，节省生产成本，提升产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种液晶面板的像素缺陷修复方法及一种液晶面板。
技术介绍
薄膜晶体管型液晶显不屏(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)为每个像素单元都设有一个半导体开关，每个半导体开关都可以通过点脉冲直接控制，因而每个像素单元都相对独立，并可以连续控制，从而使得TFT-LCD具有较高的反应速度，同时可以精确控制显示色阶，显示色彩也更逼真。目前，随着TFT-1XD显示技术的不断成熟，TFT-LCD液晶面板的视角、色彩饱和度、亮度等问题逐渐得到解决，进一步加快了TFT-LCD液晶面板在显示领域的应用。对于液晶面板来说，可视角度是关系到相关液晶显示产品用户体验的一项重要参数。为增加可视角度，大尺寸的TFT-LCD液晶面板的像素结构通常采用三个薄膜晶体管来控制一个像素单元内的主像素和子像素的液晶电容具备不同的电压，进而改善大视角下的色偏，提高显示品质。图1是现有技术中TFT-LCD液晶面板的一个像素单元的等效电路示意图，其中，当第一栅极线输入高电平、第二栅极线输入低电平时，第一薄膜晶体管Tl和第二薄膜晶体管T2导通，电荷分别被送至第一存储电容Cstl和第二存储电容Cst2。当第一栅极线输入低电平、第二栅极线输入高电平时，第三薄膜晶体管T3导通，使得第二存储电容Cst2中的部分电荷释放到第一分压电容Cc^jp第二分压电容C M2中，从而使得第一液晶电容C lcl和第二液晶电容Clc;2具有不同的电荷量，形成电压差，最终达到降低色偏的目的。在TFT-LCD液晶面板的生产过程中，难免会出现一个或多个有缺陷的像素。为提升TFT-LCD液晶面板的产品良率，目前常用的方法就是对所述一个或多个有缺陷的像素进行暗点化修复。当TFT-LCD液晶面板的一个像素单元出现缺陷时，现有技术中对缺陷像素的处理方式通常是针对三个薄膜晶体管进行整体暗点化修复。如图1所示，通过将第一至第三薄膜晶体管T1、T2、T3之间的源极S、漏极d的连接线切断(如图1中X所示)，并将第一存储电容CstJP第二存储电容C st2两端焊接短路(如图1中■所示)，以实现将整个像素单元修复为常暗点。然而，采用整体暗点化的方法无疑会增加缺陷修复的工序，浪费产能。同时，整体暗点化修复过后TFT-LCD液晶面板形成的暗点较大，也会在一定程度上影响其显示品质。
技术实现思路
本专利技术提供一种液晶面板的像素缺陷修复方法，通过对缺陷像素单元内的主像素和子像素单独进行暗点化修复，以节省修复工序，并能缩小缺陷修复所形成的暗点尺寸。另，本专利技术还提供一种液晶面板，通过对该液晶面板的缺陷像素单元内的主像素和子像素单独进行暗点化修复，以节省修复工序，并能缩小缺陷修复所形成的暗点尺寸。一种液晶面板的像素缺陷修复方法，包括如下步骤:提供一液晶面板，该液晶面板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷；判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复，当缺陷类型为主像素缺陷时，采用第一修复方法进行暗点化修复；当缺陷类型为子像素缺陷时，采用第二修复方法进行暗点化修复。其中，所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容，所述第一薄膜晶体管具有第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第一栅极用于连接一第一栅极线，所述第一源极用于连接一数据线，所述第一漏极分别与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端电性连接，所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接。其中，所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第二栅极用于与所述第一栅极线电性连接，所述第二源极用于与所述数据线电性连接，所述第二漏极分别与第二液晶电容的一端、第二存储电容的一端以及第三薄膜晶体管的第三源极电性连接，所述第二液晶电容的另一端用于与所述第一公共电极电性连接，所述第二存储电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。其中，所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容，所述第三漏极分别与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端电性连接，所述第三源极分别与第二漏极、第二液晶电容的一端以及第二存储电容的一端电性连接，所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接，所述第一分压电容的另一端分别与第一漏极、第一液晶电容的一端以及第一存储电容的一端电性连接，所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。其中，所述第一修复方法为:将所述第一薄膜晶体管的第一漏极的接线切断，并将所述第一存储电容的两端焊接短路。其中，所述第二修复方法为:将所述第二薄膜晶体管的第二漏极连接线、第三薄膜晶体管的第三漏极连接线及第三薄膜晶体管的第三源极连接线切断，并将所述第二存储电容的两端焊接短路。其中，所述主像素缺陷为所述主像素的第一薄膜晶体管或第一液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷；所述子像素缺陷为所述子像素的第二薄膜晶体管或第三薄膜晶体管或第二液晶电容出现故障而导致所述像素单元出现的亮点缺陷。一种液晶面板，包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，所述主像素和所述子像素相互邻接，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷，所述主像素包括第一薄膜晶体管、第一液晶电容及第一存储电容，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第一栅极用于连接一第一栅极线，所述第一源极用于连接一数据线，所述第一漏极与所述第一液晶电容的一端以及所述第一存储电容的一端的连接被切断，所述第一液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第一存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接，且所述第一存储电容的两端被焊接短路。一种液晶面板，包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，所述主像素和所述子像素相互邻接，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的子像素缺陷，所述子像素包括第二薄膜晶体管、第二液晶电容、第二存储电容及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第二栅极用于与一第一栅极线电性连接，所述第二源极用于与一数据线电性连接，所述第二漏极与所述第二液晶电容的一端、所述第二存储电容的一端以及所述第三薄膜晶体管的第三源极的连接被切断，所述第二液晶电容的另一端用于与一第一公共电极电性连接，所述第二存储电容的另一端用于与一第二公共电极电性连接，且所述第一存储电容的两端被焊接短路。其中，所述子像素还包括第一分压电容及第二分压电容，所述第三漏极与所述第一分压电容的一端以及所述第二分压电容的一端的连接被切断，所述第三源极与所述第二漏极、所述第二液晶电容的一端以及所述第二存储电容的一端的连接被切断，所述第三栅极用于与一第二栅极线电性连接，所述第一分压电容的另一端用于与所述主像素电性连接，所述第二分压电容的另一端用于与所述第二公共电极电性连接。本专利技术所述液晶面板的像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板的像素缺陷修复方法，包括如下步骤：提供一液晶面板，该液晶面板包括多个像素单元，每一所述像素单元包括一主像素和一子像素，多个所述像素单元中的至少一个具有待修复的主像素缺陷或子像素缺陷；判断具有缺陷的像素单元的缺陷类型并进行暗点化修复，当缺陷类型为主像素缺陷时，采用第一修复方法进行暗点化修复；当缺陷类型为子像素缺陷时，采用第二修复方法进行暗点化修复。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：衣志光，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44