高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液及制备方法技术

本发明专利技术公开一种高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液，由磨料、络合剂、成膜剂、分散剂、氧化剂及纯水组成，各原料的质量百分比为：磨料０．１％～２０％、络合剂０．１％～２％、成膜剂０．０１％～２％、分散剂０．１％～３％、氧化剂０．０１％～１０％、纯水小于或等于９０％。本发明专利技术提供的抛光液具有高去除速率（抛光速率可达到６００～８００ｎｍ）和低表面损伤（局部和整体腐蚀、蝶形缺陷及刮伤）的特点，提高了产品优良率，有利于实现铜的全局平坦化，且抛光后清洗简单、方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种铜化学机械抛光液，尤其是抛光后清洗方便、。
技术介绍
随着超大规模集成电路(ULSI)的发展，芯片集成度的不断提高，电路元件也越来越密集，芯片互连逐渐成为影响芯片制造的关键因素。芯片互连在芯片内的操作运行中起着重要作用，如传送逻辑信号、输送电源以及分配时钟信号进行时序控制和同步操作等。芯片的高集成度导致互连线增加及其截面积减少，若仍沿用ULSI传统的铝互连线方法，就会导致电阻增大及因线间距减少而产生寄生电容，从而大幅度提高了互连线的时间常数RC，集成电路的运行速度则由逻辑门延迟转变为由互连线引起的时间延迟。目前，为了避免高集成电路因互连线而引起的时间延迟，铜已替代铝而成为深亚微米集成电路互连线技术进一步发展的首选材料，它可使局域互连的传输速度改善10%，使整体互连的传输速度改善50%，既保证电路高集成度的同时又能改善运行速度。化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)被认为是目前铜互连线最有效和最实用的加工方法。现有铜CMP用抛光液基本上都是由磨料、氧化剂、钝化剂、腐蚀剂及活性剂等原料组成，虽然具有材料去除速率高的优点，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高去除率、低损伤的铜化学机械抛光用抛光液，其特征在于由磨料、络合剂、成膜剂、分散剂、氧化剂及纯水混合后再用ＫＯＨ或ＨＮＯ↓［３］调节ｐＨ值至１．０～７．０，各原料的质量百分比为：　　磨料　０．１％～２０％　　络合剂　０．１％～２％　　成膜剂　０．０１％～２％　　分散剂　０．１％～３％　　氧化剂　０．０１％～１０％　　纯水小于或等于９０％。

【技术特征摘要】
1.一种高去除率、低损伤的铜化学机械抛光用抛光液，其特征在于由磨料、络合剂、成膜剂、分散剂、氧化剂及纯水混合后再用KOH或HNO3调节pH值至1.0～7.0，各原料的质量百分比为磨料0.1％～20％络合剂 0.1％～2％成膜剂 0.01％～2％分散剂 0.1％～3％氧化剂 0.01％～10％纯水小于或等于90％。2. 根据权利要求1所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液，其特征在于所述的磨料为Si02、 Al203或表面覆盖铝Si02的水溶胶颗粒中的至少一种。3. 根据权利要求1或2所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液， 其特征在于所述磨料的粒径为20 150nm。4. 根据权利要求3所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液，其特 征在于所述络合剂为乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六 乙酸、次氮基三乙酸及其铵盐或钠盐中的至少一种。5. 根据权利要求4所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液，其特征在于所述成膜剂为阴离子表面活性剂与苯并三氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，吕冬，程宝君，吴聪，
申请(专利权)人：大连三达奥克化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：91[中国|大连]