【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种衬底处理装置和使用该装置处理衬底的方法，并且具体地，涉及一种被配置为改善喷射在衬底上的超临界流体的流动性的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
技术介绍
1、制造半导体器件的工艺包括各种工艺。例如，半导体器件可以通过光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺和电镀工艺来制造。在光刻工艺期间可以执行在晶片上供应液体材料(例如，显影溶液)的润湿工艺。另外，可以执行干燥工艺以从晶片去除液体材料。正在使用各种方法在晶片上形成液体材料或从晶片去除液体材料。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例提供了一种被配置为改善超临界流体的流动性的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
2、本专利技术构思的实施例提供了一种被配置为有助于衬底的插入的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
3、本专利技术构思的实施例提供了一种被配置为对衬底均匀地执行干燥工艺的衬底处理装置和使用该衬底处理装置处理衬底的方法。
4、本专利技术构思的实施例提供了一种被...
【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第三支撑元件包括：
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述干燥卡盘还包括第四支撑元件，所述第四支撑元件连接到所述上腔室，并且在所述第一方向上与所述下腔室间隔开。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一支撑元件还包括所述第一块上的第一突出元件，
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第二支撑元件还包括所述第二块上的第二突出元件，
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述第一突出元件和所述第二突...
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第三支撑元件包括：
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述干燥卡盘还包括第四支撑元件，所述第四支撑元件连接到所述上腔室，并且在所述第一方向上与所述下腔室间隔开。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一支撑元件还包括所述第一块上的第一突出元件，
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第二支撑元件还包括所述第二块上的第二突出元件，
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述第一突出元件和所述第二突出元件之间的距离等于或大于301mm。
7.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第一突出元件的长度等于或大于4mm。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一支撑元件、所述第二支撑元件和所述第三支撑元件彼此间隔开。
9.一种衬底处理装置，包括：
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述第一引导元件包括：
11.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，当在平面图...
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