【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种影像传感器结构的制造方法。
技术介绍
1、影像传感器广泛应用于许多现代电子装置(如，智能型手机或数字相机等)。然而，在影像传感器的制作工艺中，需要使用许多的光掩模。因此，如何减少影像传感器的制作工艺所需的光掩模数量为持续努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种影像传感器结构的制造方法，其可减少影像传感器结构的制作工艺所需的光掩模数量，进而降低制造成本。
2、本专利技术提出一种影像传感器结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底结构。在基底结构上形成第一图案化硬掩模层。第一图案化硬掩模层具有第一开口。使用第一图案化硬掩模层作为掩模，对基底结构进行第一离子注入制作工艺，而在基底结构中形成第一隔离区。在第一图案化硬掩模层上形成第一硬掩模层。第一硬掩模层形成在第一开口中，而形成第一凹陷。第一凹陷的宽度小于第一开口的宽度。使用第一硬掩模层作为掩模，对基底结构进行第二离子注入制作工艺，而在基底结构中形成掺杂区。第一隔离区位于基底...
【技术保护点】
1.一种影像传感器结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述第一硬掩模层共形地形成在所述第一图案化硬掩模层上与所述第一开口中。
3.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述掺杂区位于所述第一隔离区与所述基底结构的顶面之间。
4.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述掺杂区的宽度小于所述第一隔离区的宽度。
5.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，还包括：
6.如权利要求5所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述第二硬掩模层共形地形成在所述第...
【技术特征摘要】
1.一种影像传感器结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述第一硬掩模层共形地形成在所述第一图案化硬掩模层上与所述第一开口中。
3.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述掺杂区位于所述第一隔离区与所述基底结构的顶面之间。
4.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述掺杂区的宽度小于所述第一隔离区的宽度。
5.如权利要求1所述的影像传感器结构的制造方法，还包括：
6.如权利要求5所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述第二硬掩模层共形地形成在所述第一图案化硬掩模层上与所述第一开口中。
7.如权利要求5所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述钉扎层位于所述掺杂区与所述基底结构的顶面之间。
8.如权利要求5所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述钉扎层的宽度小于所述第一隔离区的宽度。
9.如权利要求5所述的影像传感器结构的制造方法，其中所述掺杂区的宽度小于所述钉扎层的宽度。
10.如权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建龙，高于涵，周靖淳，欧宜书，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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