【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，半导体器件中以发光二极管(light emitting diode，led)为例，led作为新一代绿色光源，广泛应用于照明、背光、显示、指示等领域。发光二极管包括层叠设置的n型半导体层、发光层以及p型半导体层。以氮化镓为代表的ⅲ族氮化物是直接带隙的宽禁带半导体材料，具有电子漂移饱和速度高、热导率好、强化学键、耐高温以及抗腐蚀等优良性能，广泛应用于制备led。
2、p型gan半导体材料制作p型半导体层，通过将p型掺杂剂掺入gan半导体材料中实现。为有效地激活gan材料得到p型gan半导体材料，在本领域中，一般选择镁用作p型掺杂剂。然而，由于镁替换镓形成的空穴大多为深能级，以及镁和外延过程中的氢容易形成镁氢键导致无法有效提供空穴载流子(即使通过后期退火的方式使镁氢键断开的几率也只有约2％)，所以p型半导体材料具有载流子迁移率低、电阻率高等问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，以解决现有技术中p型半导体材料具有载流子迁移率低、电阻率高的问题。
2、根据本申请的一个方面，本申请一实施例提供的一种半导体结构，包括依次层叠设置的n型半导体层、功能层以及p型半导体层；第一aln层，所述第一aln层设置于所述p型半导体层远离所述功能层的一侧；第一n型重掺杂半导体层，其中，所述第一n型重掺杂半导体层设置于所述第一aln层远离所述p型半导体层的一侧。
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4、在一个实施例中，所述第一aln层在所述n型半导体层指向功能层的方向上的厚度不超过5nm。
5、在一个实施例中，所述第一aln层的材料为不掺杂、n型掺杂或p型掺杂状态。
6、在一个实施例中，所述第一aln层可以掺杂钪、铟、铝中的任一种。
7、在一个实施例中，还包括：p型重掺杂半导体层；其中，所述p型重掺杂半导体层位于所述p型半导体层和所述第一aln层之间，所述p型重掺杂半导体层的掺杂浓度高于所述p型半导体层的掺杂浓度。
8、在一个实施例中，所述p型半导体层的侧壁依次覆盖有第二aln层和第二n型重掺杂半导体层。
9、在一个实施例中，所述第二aln层在平行于所述功能层所在平面的方向上的厚度不超过5nm。
10、在一个实施例中，所述第一n型重掺杂半导体层的材料含有in元素。
11、在一个实施例中，所述p型半导体层包括第二p型半导体层，所述第二p型半导体层位于所述功能层的侧壁。
12、根据本申请的一个方面，本申请一实施例提供的一种半导体结构的制备方法，包括：形成n型半导体层；在所述n型半导体层一侧形成功能层；在所述功能层远离所述n型半导体层的一侧形成所述p型半导体层；在所述p型半导体层远离所述功能层的一侧形成第一aln层；在所述第一aln层远离所述p型半导体层的一侧形成第一n型重掺杂半导体层。
13、在一个实施例中，在所述功能层远离所述n型半导体层的一侧形成所述p型半导体层之后，所述方法还包括：去除部分所述p型半导体层和所述功能层，以使所述p型半导体层和所述功能层的侧壁平齐；在所述p型半导体层远离所述功能层的一侧形成所述第一aln层，在所述p型半导体层的侧壁形成第二aln层，所述第一aln层和所述第二aln层同时形成；在所述第一aln层远离所述p型半导体层的一侧形成所述第一n型重掺杂半导体层，在所述第二aln层远离所述功能层的一侧形成第二n型重掺杂半导体层，所述第一n型重掺杂半导体层和所述第二n型重掺杂半导体层同时形成。
14、本申请提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：依次层叠设置的n型半导体层、功能层、p型半导体层、第一aln层及第一n型重掺杂半导体层。第一n型重掺杂半导体层使得载流子依靠能级隧穿效应运送，改善p型半导体层的接触电阻、改善电流扩散；制作第一aln层，减少p型半导体层中的p型离子扩散进第一n型重掺杂半导体层，避免出现n型离子/p型离子共掺引起的隧穿结变厚，改善载流子的隧穿效应，提升第一n型重掺杂半导体层注入到p型半导体层的电流密度分布的均匀性，解决p型半导体层具有载流子迁移率低、电阻率高的问题，改善半导体特性。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为发光器件，所述功能层(12)为有源层；或者，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一AlN层(14)在所述n型半导体层(11)指向功能层(12)的方向上的厚度不超过5nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一AlN层(14)的材料为不掺杂、n型掺杂或p型掺杂状态。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一AlN层(14)可以掺杂钪、铟、铝中的任一种。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述p型半导体层(13)的侧壁依次覆盖有第二AlN层(17)和第二n型重掺杂半导体层(18)。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二AlN层(17)在平行于所述功能层(12)所在平面的方向上的厚度不超过5nm。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述p型半导体层(13)包括第二p型半导体层(131)，所述第二p型半导体层(131)位于所述功能层(12)的侧壁。
11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述功能层(12)远离所述n型半导体层(11)的一侧形成所述p型半导体层(13)之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为发光器件，所述功能层(12)为有源层；或者，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一aln层(14)在所述n型半导体层(11)指向功能层(12)的方向上的厚度不超过5nm。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一aln层(14)的材料为不掺杂、n型掺杂或p型掺杂状态。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一aln层(14)可以掺杂钪、铟、铝中的任一种。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述p型半导体层(13)的侧壁依次覆...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘慰华，程凯，
申请(专利权)人：无锡晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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