本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：依次层叠设置的n型半导体层、功能层、p型半导体层、第一AlN层及第一n型重掺杂半导体层。第一n型重掺杂半导体层使得载流子依靠能级隧穿效应运送，改善p型半导体层的接触电阻、改善电流扩散...

本申请提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、第一半导体层、第二半导体层和p型离子掺杂层，p型离子掺杂层包括激活区和包裹激活区的钝化区，激活区为氧掺杂区。本申请中，通过氧离子注入的方法，低温退火即可使p型离子...

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括依次层叠设置的n型层、多量子阱层和p型离子掺杂层，p型离子掺杂层包括激活区和钝化区，激活区为氧掺杂区。本申请中，通过氧离子注入的方法，低温退火即可使p型离子掺杂层中的氢被置换出来，提...

本技术提供了一种半导体结构，半导体结构包括，第一半导体层，位于第一半导体层上包含交替排布的量子垒层和量子阱层的多量子阱层，位于量子阱层上的插入层，位于多量子阱层上的第二半导体层，其中，插入层为B<subgt;x</subgt...

本发明提供了一种测量装置及方法，其中测量方法应用测量装置进行测量；测量装置包括：承载平台，包括承载面，用于承载衬底；气体输出部件，用于对衬底输出气体；以及压力传感器，连接气体输出部件，以获取气体输出部件内部的气压值；输出部件和承载平台在...

本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的形成方法，一方面包括衬底结构，衬底结构包括至少一个第一区域和至少一个第二区域；衬底结构包括衬底以及多个位于衬底上的图案化的掩膜层，掩膜层位于第二区域的部分区域上；位于衬底结构上的发光单元，...

本公开提供的LED结构、LED器件及LED结构的制备方法，一方面包括衬底结构，衬底结构包括衬底以及间隔设置于衬底上的多个第一应力调制层；位于衬底结构上的发光单元；衬底结构包括上表面为第一应力调制层的第一区域和上表面为衬底的第二区域，位于...

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。其中，半导体结构包括：衬底；和叠置在衬底上的多个功能膜层，多个功能膜层包括叠置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层位于衬底和第二半导体层之间，第一半导体层包括多个朝向衬底...

本公开提供了一种LED结构及其制备方法。该LED结构包括：第一导电类型半导体层；应力释放层，设于所述第一导电类型半导体层上，所述应力释放层为

本实用新型提供了一种增强型器件和电子设备，涉及半导体器件技术领域。该增强型器件上表面为碳面的碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上势垒层，势垒层包括生长在碳化硅衬底上的氮面极性AlN势垒层；设置在势垒层上的氮面极性GaN沟道层；设置在GaN沟道...

本实用新型公开了一种LED结构，包括衬底，以及在衬底上依次层叠设置的第一半导体层、量子阱结构以及第二半导体层，量子阱结构包括至少一层量子阱层，量子阱层包括靠近衬底一侧的势阱层、远离衬底一侧的势垒层以及设置于势阱层和势垒层之间的应力调制结...