LED结构及其制备方法技术

本公开提供了一种LED结构及其制备方法。该LED结构包括：第一导电类型半导体层；应力释放层，设于所述第一导电类型半导体层上，所述应力释放层为

【技术实现步骤摘要】
LED结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种LED结构及LED结构的制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管，简称LED，是利用电子与空穴之间的复合辐射出可见光。LED的两个主要应用领域包括：照明与显示。尤其在显示领域，未来发展趋势包括：更长寿命、更高画质和更高清(更多数量的像素和更小尺寸的像素)。然而，现有的LED仅能发生单一波长的光。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提供一种LED结构及LED结构的制备方法，能够实现了一种多波长LED结构。
[0004]根据本公开的一个方面，提供一种LED结构，包括：
[0005]第一导电类型半导体层；
[0006]应力释放层，设于所述第一导电类型半导体层上，所述应力释放层为
Ⅲ‑Ⅴ
族半导体材料；
[0007]V型层，设于所述应力释放层上，且具有V型坑，所述V型坑由所述应力释放层控制形成；
[0008]多量子阱层，覆盖所述V型层背向所述应力释放层的表面，且填充所述V型坑；
[0009本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED结构，其特征在于，包括：第一导电类型半导体层(1)；应力释放层(2)，设于所述第一导电类型半导体层(1)上，所述应力释放层(2)为
Ⅲ‑Ⅴ
族半导体材料；V型层(3)，设于所述应力释放层(2)上，且具有V型坑(301)，所述V型坑(301)由所述应力释放层(2)控制形成；多量子阱层(4)，覆盖所述V型层(3)背向所述应力释放层(2)的表面，且填充所述V型坑(301)；第二导电类型半导体层(5)，设于所述多量子阱层(4)背向所述第一导电类型半导体层(1)的一侧，所述第二导电类型半导体层(5)与所述第一导电类型半导体层(1)的导电类型不同。2.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述应力释放层(2)的材料为In
x
Ga1‑
x
N、Al
y
Ga1‑
y
N或Al
y
In
x
Ga1‑
x
‑
y
N，0.01≤x≤0.5，0.01≤y≤0.5。3.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述应力释放层(2)中的n型载流子浓度小于5
×
10
18
个/cm3。4.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述应力释放层(2)的厚度范围为10nm
‑
500nm。5.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述V型坑(301)的数量为多个，多个所述V型坑(301)中存在至少两个所述V型坑(301)的深度不同。6.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述V型坑(301)贯穿所述V型层(3)的部分厚度。7.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述LED结构还包括：第一电极(8)，电连接所述第一导电类型半导体层(1)；第二电极(9)，电连接所述第二导电类型半导体层(5)。8.根据权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述多量子阱层(4)包括势垒层(401)，所述势...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慰华，程凯，
申请(专利权)人：无锡晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：