深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述成核层包括依次层叠于所述缓冲层上的二维AlGaN成核准备层、Al纳米点层、AlGa纳米团簇成核点层和AlGaN成核层。本发明专利技术提供的深紫外发光二极管外延片能够降低深紫外发光二极管位错密度，降低量子阱非辐射复合效率，提升深紫外发光二极管发光效率。提升深紫外发光二极管发光效率。提升深紫外发光二极管发光效率。

【技术实现步骤摘要】
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管。

技术介绍

[0002]深紫外固体光源在杀菌、水质净化、生物化学与医学、高密度光学存储光源、荧光分析系统及相关信息传感领域都有广泛应用。
[0003]早期报道的紫外LED效率极低，发光波长400nm时，外量子效率在50％，随着波长进一步变短外量子效率急剧下降，在250nm时只有0.2％。这主要是由于在生长GaN和AlGaN材料是由Al原子与Ga原子的原子迁移率和粘合系数差别比较大，Al原子的迁移率较Ga原子低，而且粘合系数也更加的高，以至于在高Al组分的AlGaN材料生长过程中聚集形成大量的三维的岛状结构，从而难以在表面自由移动生长为光滑的二维平面，会直接大幅度的降低AlGaN的晶体质量。AlGaN材料中的缺陷密度较高，能达到10
10
cm
‑2‑
10
11
cm
‑2的位错密度，而GaN中的位错浓度则相对较低为108c本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述成核层包括依次层叠于所述缓冲层上的二维AlGaN成核准备层、Al纳米点层、AlGa纳米团簇成核点层和AlGaN成核层。2.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述二维AlGaN成核准备层的厚度为10nm
‑
100nm；所述Al纳米点层的厚度为5nm
‑
50nm；所述AlGa纳米团簇成核点层的厚度为50nm
‑
500nm；所述AlGaN成核层的厚度为0.5μm
‑
5μm。3.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述二维AlGaN成核准备层中Al组分浓度为0.1
‑
1。4.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述AlGaN成核层中Al组分浓度为0.1
‑
1。5.一种如权利要求1
‑
4任一项所述的深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备衬底；在所述衬底上依次沉积缓冲层、成核层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述成核层包括依次层叠于所述缓冲层上的二维AlGaN成核准备层、Al纳米点层、AlGa纳米团簇成核点层和AlGaN成核层。6.如权利要求5所述的深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：