温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：依次层叠设置的n型半导体层、功能层、p型半导体层、第一AlN层及第一n型重掺杂半导体层。第一n型重掺杂半导体层使得载流子依靠能级隧穿效应运送，改善p型半导体层的接触电阻、改善电流扩散；制...
该专利属于无锡晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡晶湛半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。