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本发明公开一种影像传感器结构的制造方法,包括以下步骤。提供基底结构。在基底结构上形成第一图案化硬掩模层。第一图案化硬掩模层具有第一开口。使用第一图案化硬掩模层作为掩模,对基底结构进行第一离子注入制作工艺,而在基底结构中形成第一隔离区。在第一...该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种影像传感器结构的制造方法,包括以下步骤。提供基底结构。在基底结构上形成第一图案化硬掩模层。第一图案化硬掩模层具有第一开口。使用第一图案化硬掩模层作为掩模,对基底结构进行第一离子注入制作工艺,而在基底结构中形成第一隔离区。在第一...