【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构，尤其涉及一种芯片封装结构。
技术介绍
1、随着半导体技术的高速发展，集成电路的密度与效能不断提高。相应地，运行时的集成电路产生大量的热，一旦热无法快速地向外导出，集成电路的效能将大幅下滑。在热应力的作用下，集成电路封装容易产生翘曲、脱层或破裂，造成集成电路的电性与可靠度不佳。
2、另一方面，集成电路封装朝微型化及高度整合发展为当前的趋势，以将不同功能及不同尺寸的多个芯片整合于同一封装的系统级封装(sip)为例，于制作工艺期间，不同尺寸的多个芯片不利于抓取以转移至相应的线路上，不仅影响到制作工艺效率，也影响到制作工艺可靠度(例如对位失准)。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种芯片封装结构，具有极佳的散热性、电性及可靠度。
2、本专利技术是针对一种芯片封装结构的制作方法，有助于提升制作工艺效率及制作工艺可靠度。
3、根据本专利技术的一实施例，芯片封装结构包括散热基底、第一重配置线路层、第二重配置线路层、多个芯片、多个金属叠层、...
【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述金属叠层包括第一金属层及第二金属层，其中所述第一金属层位于所述第二重配置线路层与所述第二金属层之间，且所述第二金属层位于所述第一金属层与对应的所述芯片的所述非主动面之间。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个金属叠层的所述多个第一金属层具有不同的厚度。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个芯片至少包括第一芯片、第二芯片及第三芯片，其中所述第一芯片的厚度薄于所述第二芯片的厚度，且厚于所述第三...
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述金属叠层包括第一金属层及第二金属层，其中所述第一金属层位于所述第二重配置线路层与所述第二金属层之间，且所述第二金属层位于所述第一金属层与对应的所述芯片的所述非主动面之间。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个金属叠层的所述多个第一金属层具有不同的厚度。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个芯片至少包括第一芯片、第二芯片及第三芯片，其中所述第一芯片的厚度薄于所述第二芯片的厚度，且厚于所述第三芯片的厚度，与所述第一芯片相连接的一个所述金属叠层的所述第一金属层的厚度厚于与所述第二芯片相连接的另一个所述金属叠层的所述第一金属层的厚度，且薄于与所述第三芯片相连接的又一个所述金属叠层的所述第一金属层的厚度。
5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，相连接的一个所述芯片与一个所述金属叠层的总厚度等于相连接的另一个所述芯片与另一个所述金属叠层的总厚度。
6.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个金属叠层的所述多个第二金属层具有相同的厚度。
7.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述金属叠层的所述第一金属层的材质包括铜，且所述第二金属层的材质包括锡。
8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述导电结构的所述金属外层具有接触所述第二重配置线路层的第一接触面，且所述金属内核具有外露于所述第一接触面的第二接触面，所述第二接触面接触所述第二重配置线路层。
9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述导电结构的所述金属外层的所述第一接触面与所述金属内核的所述第二接触面共平面。
10.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述导电结构的所述金属外层的所述第一接触面围绕所述金属内核的所述第二接触面。
11.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述导电结构的所述金属外层接触所述第一重配置线路层，且所述金属内核与所述第一重配置线路层被所述金属外层隔开。
12.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述导电结构为导电球或导电柱。
13.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述导电结构的所述金属内核的材质为铜，且所述金属外层的材质为锡。
14.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述散热基底的材质包括铜或硅。
15.根据权利要求1所述的芯片封装结构，还包括：
16.根据权利要求15所述的芯片封装结构，其特征在于，每一个所述芯片还具有连接所述主动面的侧表面，所述底部填充层进一步覆盖所述芯片的所述侧表面，且包覆所述金属叠层。
17.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括第三重配置线路层，其中所述第三重配置线路层设置于所述第一重配置线路层上，且所述第一重配置线路层位于所述封装胶体与所述第三重配置线路层之间。
18.根据权利要求17所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三重配置线路层包括覆盖所述第一重配置线路层的模封层、设置于所述模封层上的至少两个线路以及贯穿所述模封层的至少两个导电通孔，且所述两个线路分别通过所述两个导电通孔电连接于所述第一重配置线路层。
19.根据权利要求17所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第三重配置线路层包括覆盖所述第一重配置线路层的第一模封层、设置于所述第一模封层上方的第二模封层、设置于所述第一模封层与所述第二模封层之间的介电层和第一线路、设置于所述第二模封层上的第二线路和第三线路、第一导电通孔、第二导电通孔以及第三导电通孔，所述第一导电通孔贯穿所述第一模封层，且所述第一线路通过所述第一导电通孔电连接于所述第一重配置线路层，所述第二导电通孔与所述第三导电通孔贯...
【专利技术属性】
技术研发人员：高浩哲，刘玟泓，林育民，李静观，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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