【技术实现步骤摘要】
本公开涉及气体注射器。更具体地，本专利技术涉及用于半导体处理设备的气体注射器。
技术介绍
1、半导体工业的进步导致器件架构和半导体过程的发展；然而，这些发展也带来了新的挑战，特别是在半导体过程方面。
2、在衬底上沉积膜需要使用一种或多种前体。这些前体可以是液体、固体或气体形式。可以通过使用气体注射器将气体形式的前体提供到半导体处理设备的处理室中。
3、关于使用气体注射器的挑战之一可能是减少气体注射器内部可能发生的沉积。气体注射器内部的沉积可能是颗粒污染的来源，因为气体注射器内部沉积膜厚度的增加可能导致注射器破裂。然而，这可以通过在故障后更换气体注射器来克服；这可能导致气体注射器的预防性维护周期缩短，从而降低了处理产量。
4、因此，可能需要为半导体处理设备提供一种改进的气体注射器。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、本公开的目的是提供一种用于半导体处理设备的气体注射器。
3、在第一方面，本专利技术涉及一种气体注射器。气体注射器可被构造成将处理气体输送到半导体处理设备的处理室。气体注射器可以包括注射器管，以将处理气体注射到处理室中。注射器管可以沿着第一轴线在纵向方向上从第一端延伸到第二端。注射器管可被构造成接收处理气体并将处理气
4、根据本公开第一方面的实施例的气体注射器可以允许提高其寿命。由此，这可以有助于进一步提高半导体处理设备的处理性能。
5、第一方面的实施例的优点在于，可以增加气体注射器的预防性维护周期。
6、第一方面的实施例的优点在于，气体注射器可以在处理过程中保持较冷，从而降低在注射器管的内壁上的膜沉积速率。
7、第一方面的实施例的优点还在于，可以降低气体注射器管破裂和/或断裂的风险。
8、第一方面的实施例的优点在于，可以减少气体注射器中的颗粒形成。
9、第一方面的实施例的优点在于，由于降低了在注射器管的内壁上的膜沉积速率，所以可以减少对在注射器管的内壁上的沉积膜进行清洁或蚀刻的需求。
10、在第二方面，本公开涉及另一种气体注射器。气体注射器可被构造成将处理气体输送到半导体处理设备的处理室。气体注射器可以包括注射器管，以将处理气体注射到处理室中。注射器管可以沿着第一轴线在纵向方向上从第一端延伸到第二端。注射器管可被构造成接收处理气体，并且基本沿着第一轴线将处理气体注射到处理室中。气体注射器可以还包括冷却流体导管。冷却流体导管可被构造成冷却注射器管。冷却流体导管可以包括可被构造和布置成提供和移除冷却流体的冷却流体供应导管和冷却流体返回导管。冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个可以与注射器管同轴定位。冷却流体供应导管可位于注射器管和冷却流体返回导管之间。
11、根据本公开第二方面的实施例的气体注射器可以允许提高其寿命。由此，这可以有助于进一步提高半导体处理设备的处理性能。
12、第二方面的实施例的优点在于，可以增加气体注射器的预防性维护周期。
13、第二方面的实施例的优点在于，气体注射器可以在处理过程中保持较冷，从而降低在注射器管的内壁上的膜沉积速率。
14、第二方面的实施例的优点还在于，可以降低气体注射器管破裂和/或断裂的风险。
15、第二方面的实施例的优点在于，可以减少气体注射器中的颗粒形成。
16、第二方面的实施例的优点在于，由于降低了在注射器管的内壁上的膜沉积速率，所以可以减少对在注射器管的内壁上的沉积膜进行清洁或蚀刻的需求。
17、在第三方面，本公开涉及一种半导体处理设备。半导体处理设备可以包括沿纵向方向延伸的处理室。处理室可被构造和布置用于接收衬底舟。衬底舟可以包括多个衬底。该设备可以设置有根据本公开第一方面或第二方面的实施例的气体注射器。
18、根据本公开第三方面的实施例的半导体处理设备可以提供改善的处理性能。这可能是由于设备中包括的气体注射器，其在处理过程中可以保持较冷。
19、第三方面的实施例的优点在于，由于包含在具有延长寿命的设备中的气体注射器，其可以允许提高的处理产量。
20、第三方面的实施例的优点在于，它可以允许一次处理多个衬底，由此可以减少颗粒形成。
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1.一种被构造成向半导体处理设备的处理室输送处理气体的气体注射器，该气体注射器包括：
2.根据权利要求1所述的气体注射器，其中，所述注射器管包括多个处理气体注射孔，以沿着所述第二轴线将处理气体注射到所述处理室中，所述孔在纵向方向上沿着所述第一轴线彼此间隔开。
3.根据权利要求1或2所述的气体注射器，其中，所述冷却流体导管包括被构造和布置成提供和移除冷却流体的冷却流体供应导管和冷却流体返回导管。
4.根据权利要求3所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管的直径与所述冷却流体返回导管的直径相同或不同。
5.根据权利要求4所述的气体注射器，其中，所述冷却流体返回导管的直径小于所述冷却流体供应导管的直径，并且其中，冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个位于所述注射器管沿所述第一轴线在纵向方向上的任一侧。
6.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体导管具有倒U形，其中，所述冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个具有沿着所述第一轴线的冷却流体入口和冷却流体出口，并且其中，冷却流体供应导管的冷却流体出口可操作地
7.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管具有与所述冷却流体返回导管不同的热导率。
8.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个至少部分地与所述注射器管热接触。
9.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体返回导管在其外围是隔热的。
10.根据权利要求4所述的气体注射器，其中，所述冷却流体返回导管的直径大于所述冷却流体供应导管的直径，并且其中，冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个部分地围绕所述注射器管，并且与注射器管同轴定位，冷却流体供应导管定位在注射器管和冷却流体返回导管之间。
11.根据权利要求10所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管与所述冷却流体返回导管流体连通，用于通过其壁向冷却流体返回导管提供冷却流体流。
12.根据权利要求11所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管的壁由多孔材料制成。
13.根据权利要求11或12所述的气体注射器，其被构造和布置成在使用中蒸发所述冷却流体返回导管中的冷却流体。
14.根据权利要求10所述的气体注射器，其中，另一导管同轴定位在所述冷却流体供应导管和冷却流体返回导管之间，所述另一导管可操作地连接到所述处理室。
15.根据权利要求1所述的气体注射器，其中，所述注射器管的包括所述多个处理气体注射孔的一侧在纵向方向上沿着所述第一轴线至少部分地露出，用于沿着所述第二轴线将处理气体注射到所述处理室中。
16.根据权利要求1所述的气体注射器，包括多个注射器管。
17.一种被构造成向半导体处理设备的处理室输送处理气体的气体注射器，该气体注射器包括：
18.根据权利要求1或17所述的气体注射器，还包括在其外围的隔热罩。
19.一种半导体处理设备，包括沿纵向方向延伸的处理室，该处理室被构造和布置成接收包括多个衬底的衬底舟，其中该设备设置有根据权利要求1或17所述的气体注射器。
20.根据权利要求19所述的半导体处理设备，其中，该设备是立式炉。
...【技术特征摘要】
1.一种被构造成向半导体处理设备的处理室输送处理气体的气体注射器，该气体注射器包括：
2.根据权利要求1所述的气体注射器，其中，所述注射器管包括多个处理气体注射孔，以沿着所述第二轴线将处理气体注射到所述处理室中，所述孔在纵向方向上沿着所述第一轴线彼此间隔开。
3.根据权利要求1或2所述的气体注射器，其中，所述冷却流体导管包括被构造和布置成提供和移除冷却流体的冷却流体供应导管和冷却流体返回导管。
4.根据权利要求3所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管的直径与所述冷却流体返回导管的直径相同或不同。
5.根据权利要求4所述的气体注射器，其中，所述冷却流体返回导管的直径小于所述冷却流体供应导管的直径，并且其中，冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个位于所述注射器管沿所述第一轴线在纵向方向上的任一侧。
6.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体导管具有倒u形，其中，所述冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个具有沿着所述第一轴线的冷却流体入口和冷却流体出口，并且其中，冷却流体供应导管的冷却流体出口可操作地连接到冷却流体返回导管的冷却流体入口。
7.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管具有与所述冷却流体返回导管不同的热导率。
8.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体供应导管和冷却流体返回导管中的每个至少部分地与所述注射器管热接触。
9.根据权利要求5所述的气体注射器，其中，所述冷却流体返回导管在其外围是隔热的。
10.根据权利要求4所述的气体注射器，其中，所述冷却流...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·G·M·奥斯特拉肯，B·琼布罗德，R·班克拉斯，B·林德布姆，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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