【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于半导体设备的装置。更具体地，本专利技术涉及用于形成基座、升降销和钎焊材料的材料。
技术介绍
1、在半导体制造过程中使用的设备可以提供具有静电夹持功能的基座。传统的陶瓷基座在高温下(例如>550℃)体电阻率降低，因此夹持功能降低或无效。此外，传统的陶瓷基座在高温下可能表现出低热导率(例如35-40w/mk)，这可能导致晶片中的热不均匀性。
2、此外，传统的金属基座可以提供比陶瓷基座更好的热均匀性，然而，金属基座是有温度限制的(至约450℃)。此外，传统的涂覆陶瓷(例如纯aln)的金属基座在高温下(例如>550℃)可能表现出低热导率和体积电阻率损失，这可能导致晶片中的esc漂移和不均匀性。
3、半导体制造设备也可以包括升降销。传统的升降销由陶瓷(例如aln、sic和al2o3)形成，然而，由于陶瓷材料的低断裂韧性(例如3-5mpa·m1/2)和/或低弯曲强度，陶瓷升降销可能遭受破裂和断裂。
4、基座还可以包括用钎焊材料相互连接的各种金属互连。当基座在高温下(例如约650-700℃)工作时，传统的钎焊材料可能会氧化。氧化会削弱钎焊接头，这可能导致不良的电气连接和静电夹持功能的丧失。此外，由于纯钼的脆性，由纯钼形成的传统金属互连在高温下(例如2000℃)可能会失去一些结构稳定性。
技术实现思路
1、本技术的各种实施例可以提供一种在反应室内使用的装置。该装置包括具有通孔的基座板，升降销可以设置在通孔中。此外，基座可以包括静电夹
2、根据一方面，一种装置包括基座，该基座包括第一表面和第二表面，以及从第一表面延伸到第二表面的多个通孔，其中基座包括金属合金和覆盖金属合金的涂层；以及多个升降销，其中每个升降销设置在多个通孔中的相应通孔内。
3、在上述装置的一实施例中，涂层包括纤锌矿氮化硼。
4、在上述装置的一实施例中，涂层包括掺杂有二氧化钛的纤锌矿氮化硼。
5、在上述装置的一实施例中，涂层包括掺杂有二氧化钛的氮化铝，其中二氧化钛为0.1至3原子％。
6、在上述装置的一实施例中，涂层包括掺杂有二氧化钛的氧化铝，其中二氧化钛为0.1至3原子％。
7、在上述装置的一实施例中，每个升降销由包含氧化铝和锆的合金形成。
8、在上述装置的一实施例中，每个升降销包括氧化铝和覆盖氧化铝的涂层，其中涂层包括氧化钇稳定的氧化锆。
9、在上述装置的一实施例中，每个升降销由氧化铝和氮化硅的合金形成。
10、根据另一方面，一种装置包括基座，该基座包括第一表面和第二表面，以及从第一表面延伸到第二表面的多个通孔，其中基座包括第一陶瓷材料，该第一陶瓷材料包括氮化铝、碳化硅或氧化铝中的一种；以及多个升降销，其中每个升降销设置在多个通孔中的相应通孔内，并且其中每个升降销包括第二陶瓷材料。
11、在上述装置的一实施例中，第一陶瓷材料掺杂有掺杂剂，该掺杂剂包括氮化硅、氧化镁或氧化铍中的一种。
12、在上述装置的一实施例中，第一陶瓷材料包括氮化铝和纤锌矿氮化硼的合金。
13、在上述装置的一实施例中，合金还包括二氧化钛。
14、在上述装置的一实施例中，每个升降销由包含氧化铝和锆的合金形成。
15、在上述装置的一实施例中，每个升降销包括氧化铝和覆盖氧化铝的涂层，其中涂层包括氧化钇稳定的氧化锆。
16、在上述装置的一实施例中，每个升降销由氧化铝和氮化硅的合金形成。
17、在上述装置的一实施例中，基座包括嵌入在基座内的加热元件和嵌入在基座内并配置成在基座的第一表面处产生电荷的多个电极。
18、根据又一方面，一种基座包括板，该板包括：第一表面和第二表面；从第一表面延伸到第二表面的多个通孔；以及设置在第二表面的第一金属互连；和连接到加热器的第二表面的轴，该轴包括：邻近第一金属互连设置的第二金属互连，其中第二金属互连通过金属钎焊材料电连接到第一金属互连；以及邻近第二金属互连设置的金属杆，其中金属杆通过金属钎焊材料电连接到第二金属互连。
19、在上述基座的一实施例中，金属钎焊材料是包含选自铝、铬、钼、钛、钽、金、铅和铂的至少五种金属的合金。
20、在上述基座的一实施例中，第一金属互连由掺杂氧化镧的钼形成，其中氧化镧为0.1至0.7原子％。
21、在上述基座的一实施例中，基座还包括：嵌入加热器内并电连接到第一金属互连的多个电极，其中多个电极配置成在加热器的第一表面处产生电荷。
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1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括纤锌矿氮化硼。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括掺杂有二氧化钛的纤锌矿氮化硼。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括掺杂有二氧化钛的氮化铝，其中二氧化钛的浓度为0.1至3原子％。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括掺杂有二氧化钛的氧化铝，其中二氧化钛的浓度为0.1至3原子％。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，每个升降销由包含氧化铝和锆的合金形成。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，每个升降销包括氧化铝和覆盖氧化铝的涂层，其中涂层包括氧化钇稳定的氧化锆。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，每个升降销由氧化铝和氮化硅的合金形成。
9.一种装置，包括：
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第一陶瓷材料掺杂有掺杂剂，所述掺杂剂包括氮化硅、氧化镁或氧化铍中的一种。
11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第一陶瓷材料包括氮化铝和纤锌矿氮化硼的合金
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述合金还包含二氧化钛。
13.根据权利要求9所述的装置，其中，每个升降销由包含氧化铝和锆的合金形成。
14.根据权利要求9所述的装置，其中，每个升降销包括氧化铝和覆盖氧化铝的涂层，其中涂层包括氧化钇稳定的氧化锆。
15.根据权利要求9所述的装置，其中，每个升降销由氧化铝和氮化硅的合金形成。
16.根据权利要求9所述的装置，其中，所述基座包括嵌入基座内的加热元件和嵌入基座内并配置为在基座的第一表面处产生电荷的多个电极。
17.一种基座，包括：
18.根据权利要求17所述的基座，其中，所述金属钎焊材料是包含选自铝、铬、钼、钛、钽、金、铅和铂的至少五种金属的合金。
19.根据权利要求17所述的基座，其中，所述第一金属互连由掺杂氧化镧的钼形成，其中氧化镧的浓度为0.1至0.7原子％。
20.根据权利要求17所述的基座，其中，所述基座还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括纤锌矿氮化硼。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括掺杂有二氧化钛的纤锌矿氮化硼。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括掺杂有二氧化钛的氮化铝，其中二氧化钛的浓度为0.1至3原子％。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述涂层包括掺杂有二氧化钛的氧化铝，其中二氧化钛的浓度为0.1至3原子％。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，每个升降销由包含氧化铝和锆的合金形成。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，每个升降销包括氧化铝和覆盖氧化铝的涂层，其中涂层包括氧化钇稳定的氧化锆。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，每个升降销由氧化铝和氮化硅的合金形成。
9.一种装置，包括：
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述第一陶瓷材料掺杂有掺杂剂，所述掺杂剂包括氮化硅、氧化镁或氧化铍中的一种。
11.根据权利要求9所述的装置，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·穆泰亚，S·加格，T·邓恩，H·高，J·A·桑蒂兰，A·P·瓦希，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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