用于控制衬底处理系统中的压力的系统和方法技术方案

控制由闸阀连接的两个密封室之间的压差以准备闸阀打开事件的系统和方法。如果需要，这种系统和方法可以调节至少一个室中的气体压力，直到两个室之间的压差处于预定压差水平。在一些更具体示例中，一个室可以构成衬底处理室，另一个室可以构成反应室(例如用于在衬底表面上沉积一层或多层)，并且闸阀打开事件可以允许衬底从一个室转移到另一个室(例如从反应室转移到衬底处理室中)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于处理衬底并在两个或更多个连接室之间移动衬底的系统和方法。该技术的一些方面涉及用于校准包括在衬底处理系统中的压力传感器的系统和方法。该技术的其他方面涉及用于控制两个密封室中的压力以准备两个室之间的路径将被打开的闸阀打开事件的系统和方法。

技术介绍

1、在诸如半导体晶片制造的衬底处理期间，薄层材料沉积在衬底上以构建多层产品。这种处理需要高度受控和高度卫生的处理条件，以精确沉积所需的层材料并避免污染。任何污染源都会导致产品质量下降。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍与该技术相关的一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

2、该技术的一些方面涉及用于控制由闸阀连接的两个密封室之间的压差以准备闸阀打开事件的系统和方法。这种系统和方法调节至少一个室中的气体压力，直到两个室之间的压差处于预定压差水平(例如0.75托或更小)。在一些更具体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在包括通过闸阀将衬底转移进出反应室的衬底处理室的衬底处理系统中控制闸阀打开事件的压力的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述调节衬底处理室中的压力包括比较反应室压力和衬底处理室压力，并且

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述调节衬底处理室中的压力包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将反应室压力控制阀固定在第一位置之前，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述校准之前，该方法包括单独校准衬底处理室压力传感器和反应室压力传感器。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述单独校...

【技术特征摘要】

1.一种在包括通过闸阀将衬底转移进出反应室的衬底处理室的衬底处理系统中控制闸阀打开事件的压力的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述调节衬底处理室中的压力包括比较反应室压力和衬底处理室压力，并且

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述调节衬底处理室中的压力包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将反应室压力控制阀固定在第一位置之前，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述校准之前，该方法包括单独校准衬底处理室压力传感器和反应室压力传感器。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述单独校准衬底处理室压力传感器和反应室压力传感器发生在衬底处理室处于衬底处理室的基本校准压力且反应室处于反应室的基本校准压力的情况下。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，在使用来自衬底处理室压力传感器的输出作为参考校准反应室压力传感器之后，所述方法包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一预定量为0.75托或更小。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

10.一种在包括通过闸阀将衬底转移进出反应室的衬底处理室的衬底处理系统中控制闸阀打开事件的压力的方法，该方法包括：

11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：高帆，高培培，林兴，A·穆拉利，G·戴耶，F·阿利耶蒂，A·卡杰巴夫瓦拉，C·米斯金，A·德莫斯，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：