材料层沉积方法和堆叠及相关系统和计算机程序产品技术方案

一种材料层沉积方法，包括在室装置中支撑一个且仅一个衬底，将衬底暴露于第一材料层前体和第二材料层前体，以及使用第一材料层前体和第二材料层前体形成覆盖衬底的第一材料层。第一材料层暴露于第一材料层前体，并且使用第一材料层前体在第一材料层上形成第二材料层。第二材料层前体包括含锗材料层前体，第一材料层前体包括三硅烷(Si<subgt;3</subgt;H<subgt;8</subgt;)和四硅烷(Si<subgt;4</subgt;H<subgt;10</subgt;)中的至少一种。还描述了材料层堆叠、半导体处理系统和计算机程序产品。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及制造半导体器件。更具体地，本公开涉及在半导体器件制造过程中使用的在衬底上沉积材料层堆叠。

技术介绍

1、半导体器件，例如在功率电子器件和存储器件中使用的集成电路中的电路元件，通常通过在衬底上沉积膜并使用沉积的膜形成器件特征来制造。膜沉积通常通过在反应室中支撑衬底、将衬底加热到期望的膜沉积温度以及使膜前体流向衬底来完成。当膜前体流过衬底时，材料通常在衬底上发展，通常以对应于衬底温度和反应室内环境条件的速率发展。一旦膜达到期望的厚度，通常将衬底从反应室中取出，并送去进行进一步处理，以适合正在制造的半导体处理系统。

2、在一些半导体制造过程中，在衬底上形成包括不同构成的膜的膜堆叠来制造半导体器件可能是有利的。例如，具有三维(3d)架构的半导体器件，例如鳍式场效应变压器和环绕栅极器件以及3d dram器件，可以通过由单片薄膜堆叠形成器件来按比例缩小。单片薄膜堆叠虽然有利的是，相对于二维器件，器件可以形成更高的高度。在这方面，在存储器件领域内，特别是与dram相关的领域内，随着缩小的速度减慢，单片堆叠已经开始受到关注，以实现3d dram器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种材料层沉积方法，包括：

2.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，所述第一材料层前体基本由三硅烷(Si3H8)构成。

3.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，所述第一材料层前体基本由四硅烷(Si4H10)构成。

4.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括使所述第一材料层前体与包括氮气(N2)的载体/稀释剂流体共流。

5.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括：

6.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括：

7.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，在衬底上形成所述第一材料层包括以约1...

【技术特征摘要】

1.一种材料层沉积方法，包括：

2.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，所述第一材料层前体基本由三硅烷(si3h8)构成。

3.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，所述第一材料层前体基本由四硅烷(si4h10)构成。

4.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括使所述第一材料层前体与包括氮气(n2)的载体/稀释剂流体共流。

5.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括：

6.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括：

7.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，在衬底上形成所述第一材料层包括以约12埃每秒和约60埃每秒之间的第一材料层沉积速率形成第一材料层。

8.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，其中，在衬底上形成所述第二材料层包括以约5埃每秒和约40埃每秒之间的第二材料层沉积速率形成第二材料层。

9.根据权利要求1所述的材料层沉积方法，还包括：

10.根据权利要求9所述的材料层沉积方法，其中，节流传递到所述室装置中的热量还包括：

11.根据权利要求9所述的材料层沉积方法，其中，所述差值是平均衬底温度差值，所述方法还包括使用所述第一温度测量值和第二温度测量值来控制平均衬底温度。

12.根据权利要求9所述的材料层沉积方法，其中，所述差值是中心到边缘衬底温度差值，所述方法还包括使用所述第一温度测量值和第二温度测量值来控制衬底的中心到边缘温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·埃勒什，卢彦夫，C·米斯金，A·德莫斯，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：