【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于半导体设备的装置。更具体地，本公开涉及在半导体器件制造期间使用的反应室内的密封特征。
技术介绍
1、在半导体制造过程中使用的设备可以提供基座加热器来支撑反应室内的晶片。反应室可以具有上室和下室。在晶片处理期间，可能需要将下室与上室隔离，以防止化学物质进入和/或在下室中发生沉积。
技术实现思路
1、本技术的各种实施例可以提供将反应室的上室与反应室的下室隔离的特征。在一种情况下，基座具有沿着外边缘的凹槽，凹槽配置成与隔板匹配。密封件设置在凹槽中。在另一种情况下，放置在基座上的流量控制环具有沿着外边缘的凹槽，凹槽配置为与隔板匹配。
2、根据一方面，一种反应室包括：下室，其具有由底面和从底面向上延伸的水平定向侧壁限定的内部空间；与底面相对并与侧壁直接接触的盖子，其中盖子包括开口；隔板，包括：连接到盖子的第一端；和向盖子的开口延伸的第二端，其中第二端包括水平定向部分和从水平定向部分向下延伸的脊；基座，包括：包括加热元件的主区域；和远离主区域延伸的外边缘，其中外边缘包括尺寸与脊匹配的凹槽；以及定位在凹槽内的密封件。
3、在上述反应室的一个实施例中，隔板通过由非导电材料形成的紧固件连接到盖子。
4、在上述反应室的一个实施例中，反应室还包括设置在隔板和盖子之间的电绝缘体。
5、在上述反应室的一个实施例中，密封件包括由金属材料形成的e形环。
6、在上述反应室的一个实施例中，密封件接触隔板的脊。
7、在上述反应室
8、根据另一方面，一种反应室包括：下室，其具有由底面和从底面向上延伸的水平定向侧壁限定的内部空间；与底面相对并与侧壁直接接触的盖子，其中盖子包括开口；隔板，包括：连接到盖子的第一端；和向盖子的开口延伸的第二端，其中第二端包括水平定向部分和从水平定向部分向下延伸的脊；基座，包括：包括加热元件并具有第一高度的主区域；和远离主区域水平延伸的外边缘，其中外边缘具有小于第一高度的第二高度；定位在外边缘上并包括朝上表面的流量控制环；以及位于流量控制环上的密封件。
9、在上述反应室的一个实施例中，流量控制环包括朝上表面内的凹槽。
10、在上述反应室的一个实施例中，凹槽的尺寸与脊匹配。
11、在上述反应室的一个实施例中，凹槽和脊具有互补的形状。
12、在上述反应室的一个实施例中，密封件设置在凹槽内。
13、在上述反应室的一个实施例中，密封件包括由金属材料形成的e形环。
14、在上述反应室的一个实施例中，密封件接触隔板的脊。
15、在又一方面，一种反应室包括：下室，其具有由底面和从底面向上延伸的水平定向侧壁限定的内部空间；与底面相对并与侧壁直接接触的盖子，其中盖子包括开口；隔板，包括：连接到盖子的第一端；和向盖子的开口延伸的第二端，其中第二端包括水平定向部分和从水平定向部分向下延伸的第一脊；基座，包括：包括加热元件并具有第一高度的主区域；和远离主区域延伸的外边缘，其具有小于第一高度的第二高度，以及设置在第一脊和外边缘之间的e形环密封件。
16、在上述反应室的一个实施例中，反应室还包括位于外边缘上并包括朝上表面的流量控制环。
17、在上述反应室的一个实施例中，朝上表面包括尺寸与第一脊匹配的凹槽。
18、在上述反应室的一个实施例中，基座还包括从外边缘向上延伸的第二脊，并且其中凹槽由主区域的竖直侧壁和第二脊形成。
19、在上述反应室的一个实施例中，凹槽和第一脊具有互补的形状。
20、在上述反应室的一个实施例中，隔板通过由非导电材料形成的紧固件连接到盖子。
21、根据权利要求14所述的反应室，还包括设置在隔板和盖子之间的电绝缘体。
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1.一种反应室，包括：
2.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述隔板通过由非导电材料形成的紧固件连接到所述盖子。
3.根据权利要求1所述的反应室，还包括设置在所述隔板和盖子之间的电绝缘体。
4.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述密封件包括由金属材料形成的e形环。
5.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述密封件接触所述隔板的脊。
6.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述凹槽和脊具有互补的形状。
7.一种反应室，包括：
8.根据权利要求7所述的反应室，其中，所述流量控制环包括在所述朝上表面内的凹槽。
9.根据权利要求8所述的反应室，其中，所述凹槽的尺寸与所述脊匹配。
10.根据权利要求8所述的反应室，其中，所述凹槽和脊具有互补的形状。
11.根据权利要求8所述的反应室，其中，所述密封件设置在所述凹槽内。
12.根据权利要求7所述的反应室，其中，所述隔板包括配置用于使气体流动的通孔。
13.根据权利要求7所述的反应室，其中，所述密封件
14.一种反应室，包括：
15.根据权利要求14所述的反应室，还包括定位在所述外边缘上并包括朝上表面的流量控制环。
16.根据权利要求15所述的反应室，其中，所述朝上表面包括凹槽，凹槽的尺寸与所述第一脊匹配。
17.根据权利要求14所述的反应室，其中，所述基座还包括从所述外边缘向上延伸的第二脊，并且其中，所述凹槽由所述主区域的竖直侧壁和第二脊形成。
18.根据权利要求17所述的反应室，其中，所述凹槽和第一脊具有互补的形状。
19.根据权利要求14所述的反应室，其中，所述隔板通过由非导电材料形成的紧固件连接到所述盖子。
20.根据权利要求14所述的反应室，还包括设置在所述隔板和盖子之间的电绝缘体。
...【技术特征摘要】
1.一种反应室，包括：
2.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述隔板通过由非导电材料形成的紧固件连接到所述盖子。
3.根据权利要求1所述的反应室，还包括设置在所述隔板和盖子之间的电绝缘体。
4.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述密封件包括由金属材料形成的e形环。
5.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述密封件接触所述隔板的脊。
6.根据权利要求1所述的反应室，其中，所述凹槽和脊具有互补的形状。
7.一种反应室，包括：
8.根据权利要求7所述的反应室，其中，所述流量控制环包括在所述朝上表面内的凹槽。
9.根据权利要求8所述的反应室，其中，所述凹槽的尺寸与所述脊匹配。
10.根据权利要求8所述的反应室，其中，所述凹槽和脊具有互补的形状。
11.根据权利要求8所述的反应室，其中，所述密封件设置在所述凹槽内。
【专利技术属性】
技术研发人员：A·金蒂，S·比亚尼，K·范德如里奥，Y·李，S·加格，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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