使用涂覆有焊料的柱形凸起的晶片级封装制造技术

本发明专利技术涉及使用涂覆有焊料的柱形凸起的晶片级封装。公开一种加工晶片级封装的方法。在一个实施方式中，该方法包括在还没有拆分的半导体晶片上加工至少一个有源器件，所述有源器件具有在所述晶片上表面处露出的多个结合区。在拆分所述半导体晶片之前，用引线结合工具形成所述多个结合区上的多个对应的柱形凸起。然后，在所述半导体晶片上施加模制密封层，使得所述多个柱形凸起中的每一个的上部被露出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及集成电路封装技术。更具体来说，本专利技术的实施方式涉及使用引 线结合(wire bonding)技术形成用于晶片级封装的柱形凸起(stud bump)。
技术介绍
集成电路在用于电子系统中之前通常被封装。集成电路(IC)封装保护集成电路 不受周围环境影响并且提供与电子系统的其它组件的电连接。在传统封装结构中，包含集 成电路的晶片首先被拆分成单个芯片，然后将其封装以进行测试和交付。这通常包括将晶 片(或拆分后的芯片)从进行前端处理的半导体制造工厂运输到进行后端处理的单独的封 装工厂以装配和封装IC。 相反，在晶片级封装方法中，在拆分之前在晶片上形成晶片级IC封装。该封装可 以以芯片尺寸加工，并且与标准IC封装相比成本被降低。典型的晶片级封装使用焊料凸起 以在封装后的半导体管芯和外部器件之间形成电连接。在焊料凸起的下面形成凸起下金属 化(皿derb卿metallurgy,腿)以最小化与焊料的冶金反应(metallurgicalreaction) 并改善连接。 尽管已经开发出大量商业上成功的晶片级封装处理，但是仍需要改进的晶片级封 装。
技术实现思路
本专利技术一般涉及晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加工晶片级封装的方法，包括：在还没有拆分的半导体晶片上加工至少一个有源器件，所述有源器件具有在所述晶片的上表面露出的多个结合区；并且在拆分所述半导体晶片之前：（ｉ）在所述多个结合区上形成多个对应的柱形凸起，然后（ｉｉ）在所述半导体晶片之上施加模制密封层，使得多个柱形凸起中的每一个的上部被露出。

【技术特征摘要】
MY 2008-10-23 PI20084228一种加工晶片级封装的方法，包括在还没有拆分的半导体晶片上加工至少一个有源器件，所述有源器件具有在所述晶片的上表面露出的多个结合区；并且在拆分所述半导体晶片之前(i)在所述多个结合区上形成多个对应的柱形凸起，然后(ii)在所述半导体晶片之上施加模制密封层，使得多个柱形凸起中的每一个的上部被露出。2 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，还包括在将所述模制密封层施加到 所述半导体晶片上之后拆分所述半导体晶片，以使所述有源器件从所述晶片分离。3. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中在所述多个结合区上形成的多 个柱形凸起是利用引线结合工具由铜引线形成的铜柱形凸起。4. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中在所述多个结合区上形成的多 个柱形凸起是利用引线结合工具由金或铝引线形成的金或铝柱形凸起。5. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中通过形成堆叠的柱形凸起或增 加从其形成柱形凸起的引线的直径来增加柱形凸起的高度。6. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中在所述多个结合区上形成的多 个对应柱形凸起是通过至少形成直接覆盖第一组凸起的第二组凸起而形成的堆叠的柱形 凸起，其中所述第一组和第二组凸起中的每一个是用引线结合工具形成的。7. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中所述模制密封层密封所述柱形凸起的凸起高度的50-75%。8. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中所述模制密封层在初始施加时 完全密封所述柱形凸起，并且使用激光、背研磨或者其它处理使所述柱形凸起露出。9. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，还包括用焊料涂覆所述多个柱形凸 起中的每一个。10. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，还包括在将所述多个柱形凸起形 成在所述结合区上并且将模制密封层施加到所述半导体晶片上之后拆分所述半导体晶片。11. 根据权利要求10所述的加工晶片级封装的方法，还包括 用焊料涂覆所述多个柱形凸起中的每一个； 回流所述焊料；使用焊剂清洁处理清洁所述柱形凸起；以及 在此之后拆分所述半导体晶片以形成多个晶片级封装。12. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中所述多个结合区采用外围形 式或阵列形式。13. 根据权利要求1所述的加工晶片级封装的方法，其中用于形成所述多个柱形凸起 的引线结合工具包括具有用于分配引线的馈送孔的毛细管、底面以及在底面处围绕所述馈 送孔的斜面，并且其中在所述结合区上形成的多个柱形凸起中的每一个是通过以下步骤形 成的朝向所述半导体晶片降低所述毛细管，以使得在不断开引线的情况下所述引线从所述 馈送孔凸出的部分与对应的结合区接触并形成第一结合部分；从所述半导体晶片升高所述毛细管，同时使得在不断开所述引线的情况下所述引线的凸出部分与所述结合区保持接触；在平行于所述半导体晶片上表面的方向上使所述毛细管从所述第一结合部分偏移；降低所述毛细管使得所述毛细管的底面接触所述柱形凸起并使所述柱形凸起的顶表面平坦；以及从所述半导体管芯移开所述毛细管以使所述引线与所述柱形凸起分离。14. 一种加工多个晶片级封装的方法，包括在还没有拆分的半导体晶片上加工多个有源器件，其中所述有源器件中的每一个具有在所述晶片上表面处露出的多个结合区；并且在拆分所述半导体晶片以分离所述多个有源器件之前(i)针对所述多个有源器件中的每一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：许丽丽，杨林威，卢重强，
申请(专利权)人：嘉盛马来西亚公司，
类型：发明
国别省市：MY[马来西亚]