【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及生产含Si02的芯片用绝缘层的方法以及用于该目的的特定前体的应 用。本专利技术还涉及通过该方法获得的绝缘层以及用此种绝缘层制得的芯片。
技术介绍
人们一直致力于通过各种方法获得性能更好的电脑芯片，例如增加晶体管密度和 不断实现小型化。但是，以高纯硅为基材的芯片常面对高成本的压力。这意味着，首先，研 制出具有改良性能的新型绝缘层是一种成功，其次，必须降低生产此种绝缘层的成本。绝缘 作用基于通过绝缘层将两种电荷隔绝，使电荷间的静电作用力减弱。这样相邻交联点的电 容性作用也被减弱。 在目前的芯片生产中，绝缘层主要由基于Si02的硅质层构成。在各种硅烷中特别 优选四乙氧基硅烷(TEOS)作为生产这种硅质层的前体。TEOS具有较好的可加工性。这种 材料所能达到的绝缘作用能够满足目前的要求。用TEOS制得的绝缘层通常具有良好的机 械性能。其可通过CVD(化学气相沉积)法或旋涂法进行制备(Andreas Weber，Chemical Vapord印osition—einet)bersicht，，， Spekt進derWissenschaft，冊6年4月，86_9...
【技术保护点】
一种生产含ＳｉＯ↓［２］的芯片用绝缘层的方法。其中至少一种下述硅化合物被用作前体：烷基烷氧基硅烷，烷基芳基烷氧基硅烷，芳基烷氧基硅烷，Ｃ↓［１］－和Ｃ↓［３］－Ｃ↓［５］－烷基原硅酸酯，具有乙二醇基团的原硅酸酯，具有聚醚基团的原硅酸酯，氢烷氧基硅烷，氢芳氧基硅烷，烷基氢硅烷，烷基氢烷氧基硅烷，二烷基氢烷氧基硅烷，芳基氢硅烷，芳基氢烷氧基硅烷，乙酰氧基硅烷，硅氮烷，硅氧烷，具有至少一个乙酰氧基、叠氮基、氨基、氰基、氰氧基、异氰酸根合或酮肟根合基的有机官能硅烷，含至少一个杂环的有机官能硅烷，其中硅原子可位于杂环本身上或与杂环共价键合，至少上述两种硅化合物的混合物，以及四乙氧基硅...
【技术特征摘要】
DE 2004-2-19 102004008442.4一种生产含SiO2的芯片用绝缘层的方法。其中至少一种下述硅化合物被用作前体烷基烷氧基硅烷，烷基芳基烷氧基硅烷，芳基烷氧基硅烷，C1-和C3-C5-烷基原硅酸酯，具有乙二醇基团的原硅酸酯，具有聚醚基团的原硅酸酯，氢烷氧基硅烷，氢芳氧基硅烷，烷基氢硅烷，烷基氢烷氧基硅烷，二烷基氢烷氧基硅烷，芳基氢硅烷，芳基氢烷氧基硅烷，乙酰氧基硅烷，硅氮烷，硅氧烷，具有至少一个乙酰氧基、叠氮基、氨基、氰基、氰氧基、异氰酸根合或酮肟根合基的有机官能硅烷，含至少一个杂环的有机官能硅烷，其中硅原子可位于杂环本身上或与杂环共价键合，至少上述两种硅化合物的混合物，以及四乙氧基硅烷与至少上述一种硅化合物的混合物。2. 根据权利要求1的方法，其中通过CVD技术或旋涂法实施对含Si(^的芯片用绝缘层 的生产。3. 根据权利要求1或2的方法，其中至少下述一种硅化合物被使用乙烯基三甲氧基 硅烷，乙烯基三乙氧基硅烷，具有聚醚或乙二醇基团的乙烯基硅烷，乙烯基三(甲氧基乙 氧基)硅烷，乙烯基甲基二烷氧基硅烷，乙烯基芳基烷氧基硅烷，甲基三甲氧基硅烷，乙基 三甲氧基硅烷，乙基三乙氧基硅烷，丙基三甲氧基硅烷，丙基三乙氧基硅烷，丁基三甲氧基硅烷，丁基三乙氧基硅烷，苯基三甲氧基硅烷，苯基三乙氧基硅烷，丙甲基二甲氧基硅烷， 原硅酸甲酯，原硅酸正丙酯，原硅酸四丁基乙二醇酯，戊基三甲氧基硅烷，二 (甲基三亚乙 基乙二醇)二甲基硅烷，2-(环己-3-烯基)乙基三乙氧基硅烷，环己基甲基二甲氧基硅 烷，环己基三甲氧基硅烷，环戊基甲基二甲氧基硅烷，环戊基三甲氧基硅烷，二异丁基二甲 氧基硅烷，二异丙基二甲氧基硅烷，二环戊基二甲氧基硅烷，二甲基二乙氧基硅烷，二苯基 二甲氧基硅烷，乙烯基三乙酰氧基硅烷，2-苯乙基三乙氧基硅烷，2-苯...
【专利技术属性】
技术研发人员：E米，H劳勒德，H克莱因，J蒙基维茨，I萨沃普洛斯，
申请(专利权)人：德古萨公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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