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本发明涉及一种制备含ＳｉＯ２的芯片用绝缘层以及用于该目的的特定前体的应用。本发明还涉及可以这种方式获得的绝缘层，以及用这种绝缘层获得的芯片。...
该专利属于德古萨公司所有，仅供学习研究参考，未经过德古萨公司授权不得商用。

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