冷却装置和具有其的单晶炉制造方法及图纸

本技术公开了一种冷却装置和具有其的单晶炉，冷却装置包括：冷却主体、环形管和输送管，冷却主体为环形，冷却主体内部设有冷却流道；环形管设置在冷却主体的顶部，环形管上开设有多个导向孔，导向孔的开口朝向冷却主体的内部；输送管用于输送气体，输送管适于与气源相连，输送管与环形管连通。通过设置环形管向冷却主体的内部输送气流，在冷却主体的内侧形成向下的均匀气流，在液面上部的区域内形成稳定的向下的气压，对加料过程中造成的上浮的粉尘和跳动的颗粒形成压制效果，改善单晶棒生产过程中的粉粒漂浮和颗粒跳动现象，减少颗粒粘结在冷却主体的内壁表面的数量，降低对冷却主体的内壁的污染，延长水冷屏的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶制造，尤其是涉及一种冷却装置和具有其的单晶炉。

技术介绍

1、单晶硅作为半导体材料具有广泛的市场需求，常用单晶炉制备。单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。水冷屏作为单晶炉热场的重要部件之一，主要作用为调节拉晶生产过程中的温度梯度，其热传导速度即稳定性直接影响单晶硅棒的拉晶速度、成晶率、断线率等重要指标。

2、单晶炉在工作过程中，随着多次加料过程中颗粒硅加料量及加料速度的不断提升，加料过程中可能造成硅粉漂浮、跳硅等问题，颗粒料粘结在水冷屏内壁表面，会污染水冷屏壁，缩短水冷屏的使用寿命，并且影响单晶硅棒的拉晶性能。

技术实现思路

1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种冷却装置，该冷却装置可改善单晶生产过程中的硅粉漂浮、跳硅现象，使得拉晶过程稳定，延长水冷屏的使用寿命。

2、本技术的另一个目的在于提出一种单晶炉。

3、根据本技术实施例的冷却装置，包括：环状的冷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种冷却装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述导向孔被构造成倾斜延伸以朝向所述冷却主体的内壁导气。

3.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述导向孔的开孔方向与竖直方向之间的夹角为10度-15度。

4.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，相邻两个所述导向孔与所述环形管的中心点之间的连线之间的夹角为20度-35度。

5.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述导向孔的孔径为2mm-5mm。

6.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述冷却装置还包括：进液管和出液管...

【技术特征摘要】

1.一种冷却装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述导向孔被构造成倾斜延伸以朝向所述冷却主体的内壁导气。

3.根据权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述导向孔的开孔方向与竖直方向之间的夹角为10度-15度。

4.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，相邻两个所述导向孔与所述环形管的中心点之间的连线之间的夹角为20度-35度。

5.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述导向孔的孔径为2mm-5mm。

6.根据权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述冷却装置还包括：进液管和出液管，所述进液管和所述出液管分别与所述冷...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玉兵，周声浪，张华利，周永驰，
申请(专利权)人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：