无卷曲高粘接无胶型挠性覆铜板的制备方法技术

本发明专利技术公开的是用直接涂覆法制备无卷曲高粘接无胶型挠性覆铜板的方法，该方法是先将含苯并噁唑结构的芳香二胺单体、含酮醚键结构的芳香二胺单体、含全醚键结构的芳香二胺单体和芳香二酐单体溶于非质子极性溶剂中聚合反应制成聚酰胺酸胶液，然后再将聚酰胺酸胶液涂覆在厚度为６～３５微米的铜箔上，于５０～１５０℃下烘烤５～１８０分钟，然后再将其置于真空烘箱或氮气氛围的高温烘道中，依次在８０℃、１２０℃、１８０℃、２２０～２８０℃、３２０～３８０℃下各进行１０～９０分钟的阶段性热固化即可。用本发明专利技术方法制备的无胶型挠性覆铜板不仅高粘接，无卷曲，剥离强度高，且还具有优异的力学性能和耐热性、良好的耐弯折性和较低的吸水率；本发明专利技术方法一次涂覆成型，制备工艺简单，生产成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于直接涂覆法制备无胶型挠性覆铜板
，具体涉及一种用聚酰胺酸胶液直接涂覆制备无巻曲、高粘接性和尺寸稳定性的无胶型挠性覆铜板的方法。
技术介绍
随着电子产品向高性能化、高密度和集成化的快速发展，作为其基材的挠性覆 铜板也在不断地顺应这种发展趋势，即在其尺寸薄型化和稳定性方面有了较大程度的发 展和提高，印制电路行业也相继研发出了厚度薄、综合性能优的无胶型二层挠性覆铜板 (2L-FCCL)，这在一定程度上满足了高性能化电子产品的需求。目前，这种无胶型挠性覆铜 板基材概括起来主要有三种生产方法(辜信实等，印制电路信息，2004，4 :29-33): 其一是化学沉积或电镀、真空溅射及真空沉积法。即在聚酰亚胺薄膜表面通 过化学沉积或电镀的方法形成铜导电层(CN95106677、 CN1183887A、 JP2008291050及 JP2008095000)，或者采用真空溅射技术及真空沉积技术，将铜沉积到聚酰亚胺薄膜上 (CN01109402、 CN1579754)。用此类方法所得的2L-FCCL虽具有很高的尺寸控制精度，即 能通过选择现有的低线性热膨胀系数的聚酰亚胺商品膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无卷曲高粘接无胶型挠性覆铜板的制备方法，该方法的工艺步骤和条件如下：　　　　（１）先将含苯并噁唑结构的芳香二胺单体、含酮醚键结构的芳香二胺单体和含全醚键结构的芳香二胺单体溶于非质子极性溶剂中，然后加入与芳香二胺单体等物质的量的芳香二酐单体搅拌混合，并在０～４０℃下，聚合反应５～７０小时，使生成固含量为１０～３０ｗｔ％的聚酰胺酸胶液，其中含苯并噁唑结构的芳香二胺单体物质的量以芳香二胺单体总量计为４０～９０ｍｏｌ％，含酮醚键结构的芳香二胺单体物质的量以芳香二胺单体总量计为１～６０ｍｏｌ％，含全醚键结构的芳香二胺单体物质的量以芳香二胺单体总量计为０～５９ｍｏｌ％；　　　　（２）先将所获聚酰胺酸胶...

【技术特征摘要】
一种无卷曲高粘接无胶型挠性覆铜板的制备方法，该方法的工艺步骤和条件如下(1)先将含苯并噁唑结构的芳香二胺单体、含酮醚键结构的芳香二胺单体和含全醚键结构的芳香二胺单体溶于非质子极性溶剂中，然后加入与芳香二胺单体等物质的量的芳香二酐单体搅拌混合，并在0～40℃下，聚合反应5～70小时，使生成固含量为10～30wt％的聚酰胺酸胶液，其中含苯并噁唑结构的芳香二胺单体物质的量以芳香二胺单体总量计为40～90mol％，含酮醚键结构的芳香二胺单体物质的量以芳香二胺单体总量计为1～60mol％，含全醚键结构的芳香二胺单体物质的量以芳香二胺单体总量计为0～59mol％；(2)先将所获聚酰胺酸胶液涂覆在厚度为6～35微米的铜箔上，然后在50～150℃下烘烤5～180分钟，并控制涂层在溶剂挥发后厚度为10～30μm，再将其置于真空烘箱或氮气氛围的高温烘道中，依次在80℃、120℃、180℃、220～280℃、320～380℃下各进行10～90分钟的阶段性热固化即可。2. 根据权利要求l所述的无巻曲高粘接无胶型挠性覆铜板的制备方法，该方法中 所用的含苯并噁唑结构的芳香二胺单体为5-氨基-2-(对-氨基苯)苯并噁唑、6-氨 基_2-(对_氨基苯)苯并噁唑、5-氨基-2-(间-氨基苯)苯并噁唑、6-氨基-2-(间-氨 基苯)苯并噁唑中的至少一种。3. 根据权利要求1或2所述的无巻曲高粘接无胶型挠性覆铜板的制备方法，该方法中 所用的含酮醚键结构的芳香二胺单体为4，4' _双(3-氨基苯氧基)二苯甲酮和4，4'-双 (4-氨基苯氧基)二苯甲酮中的至少一种。4. 根据权利要求1或2所述的无巻曲高粘接无胶型挠性覆铜板的制备方法，该方法中...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾宜，庄永兵，刘向阳，朱蓉琪，盛兆碧，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90[]