【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体制造，特别涉及一种半导体存储器及其形成方法。
技术介绍
1、半导体存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储电容器的存储晶体管。存储电容器用来存储代表存储信息的电荷，存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极。其中，栅极用于控制源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，源区用于构成位线接触区，以连接至位线，漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。
2、随着半导体制作工艺中集成度的增加，位线之间的间距变得越来越小。因此，在位线之间，容易形成寄生电容，随着这种寄生电容的增加，对半导体器件的性能的影响越来越大，例如半导体器件的动作速度变慢，数据刷新的特性变差。
3、例如，可以利用rc延迟时间来评价半导体存储器由于寄生效应引起的电信号传输速率的延迟。rc延迟时间满足如下公式：
4、trc＝(ρ0·l1/td)(kd/ε0)
5、其中，ρ0:金属的线电阻；
6、l1:金属的长度；
7、kd:绝缘材料的介电常数；
8、ε0:金属的导电率；
<...【技术保护点】
1.一种半导体存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
5.如权利要求2所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
6.如权利要求1所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
7.如权利要求6所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
8.如权利要求7所述的半导体存储器的形成方法，其特征在于，
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