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本公开提供一种半导体存储器及其形成方法，能降低位线之间的寄生电容，提升半导体存储器的性能。半导体存储器的形成方法包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成间隔排列的多个位线接触部的步骤；在所述半导体衬底上形成与多个所述位线接触部分...
该专利属于东芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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