一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备技术

本发明专利技术的一次可编程存储器用于DRAM存储设备的修复信息的保存，包括一次可编程阵列、以及多个本地寄存器，在将所述一次可编程阵列中所存储的所述修复信息发送至多个所述本地寄存器之前，通过ECC功能对所述修复信息进行校验纠正。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种一次可编程存储器、一次可编程存储器的读写方法、以及包括该一次可编程存储器的dram存储设备。

技术介绍

1、dram(dynamic random access memory：动态随机存取存储器)是一种常见的半导体存储器。对于dram而言，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。基于该特性，为了提高dram产品的生产良率，芯片设计中包含了冗余修复信息保留单元。现有技术中，该信息保留单元通常通过一次可编程存储器(efuse：电子熔丝或antifuse：反熔丝)来实现。

2、随着dram工艺线宽尺寸越来越小，存储密度和单个裸片(die)存储容量显著增加，所需保留的信息例如单个die需要修复的字线和位线数量也相应地显著增加，从而需要更高容量的一次可编程存储器，以用于存储dram的上述修复信息。

3、为了有效地利用dram芯片的面积，高容量的一次可编程存储器通常采用包括集中fuse阵列和本地寄存器的结构。该一次可编程存储器的编程内容由mbist(memory 本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种一次可编程存储器，用于DRAM存储设备的修复信息的保存，其特征在于，

2.如权利要求1所述的一次可编程存储器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一次可编程存储器，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述的一次可编程存储器，其特征在于，

5.如权利要求4所述的一次可编程存储器，其特征在于，

6.如权利要求4所述的一次可编程存储器，其特征在于，

7.如权利要求1至3的任一项所述的一次可编程存储器，其特征在于，

8.一种一次可编程存储器的读写方法，所述一次可编程存储器用于DRAM存储设备的修复信息的保存...

【技术特征摘要】

1.一种一次可编程存储器，用于dram存储设备的修复信息的保存，其特征在于，

2.如权利要求1所述的一次可编程存储器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一次可编程存储器，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述的一次可编程存储器，其特征在于，

5.如权利要求4所述的一次可编程存储器，其特征在于，

6.如权利要求4所述的一次可编程存储器，其特征在于，

7.如权利要求1至3的任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡杰，
申请(专利权)人：东芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：